Hi ich weiss das Thema wurde hier schon einige Male diskutiert aber ich will mir sicher sein das ich das richtig verstehe Ich hab vor eine Lithiumbatterie (ja ich weiss die dinger koennen gefaehrlich sein - bitte keine Kommentare in diese Richtung) an eine Schaltung dranzuklemmen. Um das ganzen Deppensicher zu machen hab ich vor einen Verpolungsschutz zu implementieren. Plan war - man nehme einen IRF7416 der ja eine V_GS von -1V hat. Drain an das (wenns richtig rum gepolt ist) + Terminal der Batterie und Sourche Richtung Schaltung. Gate auf Masse nageln (die bei richtiger Polung mit dem Minuspol der Batterie verbunden ist). So weit so gut. Wenn richtig gepolt ist fliesst strom ueber die Drain Source Diode und zieht die Source nach oben so das dann V_GS < -1 wird und der FET somit "aufmacht". Was mich aber nun wundert - der Strom fliesst dann von Drain nach Source - ist ein P - FET nicht eigentlich designed um von S nach D den Strom fliessen zu lassen? Tobi
Stichwort Inversdiode oder Bodydiode des Mosfet. Zum Thema Verpolschutz: In welche Richtung willst du einen Verpolschutz implementieren? Laden oder Entladen? Da könnte man einen einfachen Brückengleichrichter nehmen. Zu deiner speziellen Schaltung mit MOSFETs kann ich nix sagen. Dann bräuchte ich schon einen Schaltplan.... Gruß Mandrake
Ein FET ist letztendlich nur ein gesteurerter R - vom Prinzip her also eigentlich richtungsunabhängig - der kann also in beiden Richungen an- und auschalten. Nur die Body-Diode bewirkt, daß der nicht ganz so richtungunabhängig ist.
Etwas zu spät, aber trotzdem: Ein Mosfet in seiner Grundform mit vier Anschlüssen (G, D, S und B) ist bzgl. D und S weitgehend symmetrisch, es können also D und S vertauscht werden, was in der Verpolungsschutz- und vielen anderen Schaltungen (z.B. Synchrongleichrichtern) genutzt wird. Die Asymmetrie diskreter Mosfets kommt daher, dass bei diesen normalerweise B mit S verbunden ist (daher nur drei Anschlüsse). Aus dieser Verbindung resultiert auch die Substrat (oder Body-)diode, die den Mosfet leider nur in eine Richtung sperren lässt.
sich wundert warum er sich zum antworten einloggen muss ich frag mich grade ob der IRF dafür so gut geeignet ist... Wenn ich ne LiIon Batterie hab hab ich ja minimal ne Spannung von... 2.7V. Das heisst ich überschreite zwar V_th (von 1V) aber so richtig "offen" scheint der FET dann auch noch nicht zu sein. Ich bräuchte was, was gute 2A durchlässt im worst case. Hat da jemand Vorschläge? Tobi
nachtrag - kann es sein das in der eagle library transitor_power beim MFP-D Symbol Drain und Source vertauscht worden sind??? Ich hab mir jetzt mal den FDC604P geschnappt - der sieht sinnvoll aus.
Wenn deine Schaltung auch mit nem N-Kanal geht, dann nimm den IRLU2905. >Das heisst ich überschreite zwar V_th (von 1V) aber so richtig "offen" >scheint der FET dann auch noch nicht zu sein. Woher nimmst du die Annahme?
Empfehlenswert wäre auch der SI4463BDY-E3, den gib't hier http://www.kessler-electronic.de/proddetail.asp?ID=088A83B8C621414699DD7316DBBAB0A0&PROD=55185
>Das heisst ich überschreite zwar V_th (von 1V) aber so richtig "offen" >scheint der FET dann auch noch nicht zu sein. so wie ich V_th verstehe ist das die spannung wo er gerade leitend wird. Wenn ich beim IRF7416 ins Datenblatt schiele http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/I/R/F/7/IRF7416.shtml und mir die figures angucke scheint bei -3V schon arg eng zu sein da 2A durchzubekommen. Ausser ich verstehe was falsch. N Kanal Mos geht nicht - den muesste ich auf die Masseseite schnallen und ich kann mir kein ground bounce aufgrund eines "hohen" Massewiderstandes erlauben.
Geh doch einfach bei IRF auf die Webseite und wähle in der parametrischen Suche diejenigen Typen aus, die bei 2,7V einen ausreichend kleinen RDSon haben. Bei anderen Herstellern geht's sicher entsprechend.
>und mir die figures angucke scheint bei -3V schon arg eng zu sein da 2A >durchzubekommen. Ausser ich verstehe was falsch. Das wird in der Tat eng. Das sieht dem oben genannten Typ von Vishay schon anders aus: http://download.siliconexpert.com/pdfs/2008/07/31/semi_ap/2/vsh/mosfets/si4463bd.pdf Da gehen bei Vgs=2,5V noch locker 10A durch bei Rds(on)=20 mOhm
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