Igbt über Trafo --> Ansteuerungssignal unsauber

nach etlichem hin und her probiern scheint das oben genannte Problem 
gelöst...

Nun habe ich ein anderes Problem: Die Rechteckspannung auf der 
Sekundärseite (gemessen zwischen Gate und Source des IGBTs) sieht zwar 
sehr sauber aus, jedoch liegt das "0-Potential" nicht bei 0V, sondern 
bei ca +4V. Lege ich dann an den Widerstand (der sich über dem Drain 
befindet) eine Spannung an, so verchiebt sich das Signal weiter und wird 
auch sehr unsauber...

das kann so nicht gehen- wie soll gas gate gegen die diode entladen 
werden...

@...

Hast du eine Idee, wie es gehen könnte?

oder hat vielleicht sonst jemand eine Idee, bzw kann mir eine 
funktionierende Schaltung nennen?

Hallo,
1. Schritt: schalte von Gate zu Source einen Widerstand, damit die 
Ladung auch wieder abfliessen kann.
Geuss Klaus.

Hallo,
Such mal per Google "Ansteuerung IGBT".

http://imperia.mi-verlag.de/imperia/md/upload/article/416pdf_ansteuern_von_igbt_s.pdf

Die Diode wäre dann durch einen Widerstand zu tauschen. Der IGBT soll ja 
auch mit negativer Spannung gesperrt werden. Zum Schutz des IGBT hat man 
Z-Dioden am Gate vorgesehen. Der Widerstand begrenzt jetzt nur den 
Steuerstrom. Je grösser der Steuerstrom, je schneller wird die Ladung am 
Gate geändert. Der Strom darf aber auch nicht zu gross werden. Dafür 
sind Datenblätter da. Schau mal hinein.

Gruss Klaus.

@klaRa

Danke, aber das betrifft ja nicht mein Problem. Mit einer "normalen" PWM 
Ansteuerung würde mir das wahrscheinlich weiterhelfen. Nur ich übertrage 
nur kurze Pulse, aus denen erst wieder die PWM zurückgewonnen wird.

Um Kosten und Platz zu sparen, denn kurze Impulse --> erheblich 
kleinerer Trafo --> geringere Kosten

Im übrigen bin ich doch wieder bei meinem Ursprünglichen Problem 
angelangt. Die Rekonstruktion des PWM Signals habe ich mittlerweile sehr 
gut in den Griff bekommen. Ich habe jetzt auf der Sekundärseite ein 
sauberes +/-15V Rechtecksignal zwischen Gate und Source des IGBT 
anliegen. Nur der Spannungsabfall eines angeschlossenen Widerstandes ist 
wie in meinem ersten Posting Skizze b) zu sehen.
Ich finde dafür einfach keine Lösung, denn wie gesagt liegt am Gate 
bereits einige us -15V an (ab dort wo die gestrichelte Linie in meiner 
Skizze verläuft) und dennoch scheint der IGBT nur sehr langsam 
abzuschalten (durchgezogene Linie, die der Kondensator entladekurve 
ähnelt)

Mach es einfach wie alle anderen- wenn es so einfach ginge würden es 
alle machen- geht aber leider nicht.
Falls es unbedingt mit Impulsen sein soll: ersetzte die Diode durch 
einen Thyristor und zünde den über eine zweite Wicklung auf dem 
Übertrager. (Vorwiderstand und Z-Dioden natürlich nicht vergessen)

Danke Klaus,

ich werde das später auch nochmal testen. Das ist ein guter Denkanstoß.





Ich habe jetzt nochmal ein neues Bild angefügt. So wie in a) zu sehen, 
funktioniert die Erzeugung des +15/-15V Rechtecksignals (Ugd). Am 
Trafoausgang (Ue) liegt dabei eine Spannung von +30/-30V an. Diese wird 
mithilfe der 15V Z Dioden in der parasitären Kapazität gespeichert. 
Zwischen Gate und Drain liegt also ein (nahezu) Rechtecksignal mit 
+15/-15V wie in Skizze b) unten gezeigt, an.
ABER: Am Widerstand fällt die Spannung, wie in b) oben zu sehen, ab. Der 
IGBT sperrt also nur schleichend. Wie kann das sein? Am Gate liegen doh 
-15V... Dieses Verhalten ist mir unerklärlich.

Hallo Thomas,
Du hast eine Frequenz von 50 KHz. Die Halbwelle hat damit 10us. Die 
abfallende Flanke schätze ich somit laut Skitze auf ca. 5us. tau=R*C
C=tau/R. Ganz grob: 5us/1k = 5nF.

Warum setzt Du denn dort ein IGBT ein? Ist die Spannung so hoch?

Gruss Klaus.

zum Testen ist die spannung nicht sonderlich hoch, damit ich ihn den 
IGBT nicht abrauchen lasse. Später wird die Spannung allerdigs >500V...

Hätte niemand eine Idee, woran es liegen kann, dass der IGBT trotz 
negativer Spannung so langsam abschaltet?

hm, versuch mal so..

Hallo hier ein Dokument was dir weiterhelfen könnte.
Dort wird deine Problematik ganz gut beschrieben.

Gruß

Mandrake