Hallo,
ich übertrage einen Impuls über einen Transformator (1-2us Länge).
Dieser wird aus einem Rechtecksignal (~50kHz) erzeugt (+ 15V positiver
Impuls = steigende Flanke, -15V negativer Impuls = fallende Flanke). In
einem anderen Thread habe ich bereits Tips bekommen, wie ich diesen
Impuls wiederherstelle. Da das jetzige Problem ein anderes ist, eröffne
ich einen neuen Thread.
In der angehängten Grafik ist oben die Schaltungsanordnung skizziert.
Wenn ich statt des IGBTs einen Kondensator einsetze, bekomme ich
sekundärseitig das Rechtecksignal zurück (bis auf die Flankensteilheit,
die ist etwas geringer). Setze ich jedoch einen IGBT ein (Siehe Grafik
a) ) und hänge an + einen Widerstand, so sieht die am Widerstand
abfallende Spannung ungefähr wie in b) skizziert aus. D.h. die
Abschaltung erfolgt erstens zu spät (sollte eigentlich bei der
gestrichelten Linie schon abschalten) und danach erfolgt sie schleichend
(ähnlich einer Kondensator-antladungskurve).
Ich habe bereits versucht, die Entladung zu beschleunigen, indem ich
parallel zur Gate-source Strecke einen pnp Transistor eingesetzt habe,
mit dem Basisanschluss (über einen Widerstand) vor der Diode. Emitter am
Gate und Collector am Source. Dies führte nur dazu, dass der IGBT
überhaupt nicht mehr schaltelte.
Kann mir von Euch vielleicht jemand helfen?
nach etlichem hin und her probiern scheint das oben genannte Problem
gelöst...
Nun habe ich ein anderes Problem: Die Rechteckspannung auf der
Sekundärseite (gemessen zwischen Gate und Source des IGBTs) sieht zwar
sehr sauber aus, jedoch liegt das "0-Potential" nicht bei 0V, sondern
bei ca +4V. Lege ich dann an den Widerstand (der sich über dem Drain
befindet) eine Spannung an, so verchiebt sich das Signal weiter und wird
auch sehr unsauber...
Hallo,
Such mal per Google "Ansteuerung IGBT".
http://imperia.mi-verlag.de/imperia/md/upload/article/416pdf_ansteuern_von_igbt_s.pdf
Die Diode wäre dann durch einen Widerstand zu tauschen. Der IGBT soll ja
auch mit negativer Spannung gesperrt werden. Zum Schutz des IGBT hat man
Z-Dioden am Gate vorgesehen. Der Widerstand begrenzt jetzt nur den
Steuerstrom. Je grösser der Steuerstrom, je schneller wird die Ladung am
Gate geändert. Der Strom darf aber auch nicht zu gross werden. Dafür
sind Datenblätter da. Schau mal hinein.
Gruss Klaus.
@klaRa
Danke, aber das betrifft ja nicht mein Problem. Mit einer "normalen" PWM
Ansteuerung würde mir das wahrscheinlich weiterhelfen. Nur ich übertrage
nur kurze Pulse, aus denen erst wieder die PWM zurückgewonnen wird.
@ Thomas BD (Gast)
>Ansteuerung würde mir das wahrscheinlich weiterhelfen. Nur ich übertrage>nur kurze Pulse, aus denen erst wieder die PWM zurückgewonnen wird.
Und warum?
Im übrigen bin ich doch wieder bei meinem Ursprünglichen Problem
angelangt. Die Rekonstruktion des PWM Signals habe ich mittlerweile sehr
gut in den Griff bekommen. Ich habe jetzt auf der Sekundärseite ein
sauberes +/-15V Rechtecksignal zwischen Gate und Source des IGBT
anliegen. Nur der Spannungsabfall eines angeschlossenen Widerstandes ist
wie in meinem ersten Posting Skizze b) zu sehen.
Ich finde dafür einfach keine Lösung, denn wie gesagt liegt am Gate
bereits einige us -15V an (ab dort wo die gestrichelte Linie in meiner
Skizze verläuft) und dennoch scheint der IGBT nur sehr langsam
abzuschalten (durchgezogene Linie, die der Kondensator entladekurve
ähnelt)
Mach es einfach wie alle anderen- wenn es so einfach ginge würden es
alle machen- geht aber leider nicht.
Falls es unbedingt mit Impulsen sein soll: ersetzte die Diode durch
einen Thyristor und zünde den über eine zweite Wicklung auf dem
Übertrager. (Vorwiderstand und Z-Dioden natürlich nicht vergessen)
Hallo Thomas,
mit der positiven Flanke erzeugst Du einen steilen Rechteck. Danach
folgt eigentlich eine negative Flanke. Die könnte den IGBT wieder gut
sperren. Die Diode wirkt jedoch in Verbindung mit der Gate-Kapazität wie
ein Netzgerät mit Ladekondensator.
Wenn der Impulsübertrager klein sein soll, dann kannst Du auch die
Speeks nutzen. Die positive Flanke ist steil ansteigend und fällt per
e-Funktion ab. Danach kommt ein negativer Peek. Die Diode sperrt. Ich
würde jetzt eine Zenerdiode parallel zu Diode schalten die erst im
negativen Teil des Peeks leitend wird.
Gruss Klaus.
Danke Klaus,
ich werde das später auch nochmal testen. Das ist ein guter Denkanstoß.
Ich habe jetzt nochmal ein neues Bild angefügt. So wie in a) zu sehen,
funktioniert die Erzeugung des +15/-15V Rechtecksignals (Ugd). Am
Trafoausgang (Ue) liegt dabei eine Spannung von +30/-30V an. Diese wird
mithilfe der 15V Z Dioden in der parasitären Kapazität gespeichert.
Zwischen Gate und Drain liegt also ein (nahezu) Rechtecksignal mit
+15/-15V wie in Skizze b) unten gezeigt, an.
ABER: Am Widerstand fällt die Spannung, wie in b) oben zu sehen, ab. Der
IGBT sperrt also nur schleichend. Wie kann das sein? Am Gate liegen doh
-15V... Dieses Verhalten ist mir unerklärlich.
Hallo Thomas,
Du hast eine Frequenz von 50 KHz. Die Halbwelle hat damit 10us. Die
abfallende Flanke schätze ich somit laut Skitze auf ca. 5us. tau=R*C
C=tau/R. Ganz grob: 5us/1k = 5nF.
Warum setzt Du denn dort ein IGBT ein? Ist die Spannung so hoch?
Gruss Klaus.
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