Gast
#1280597
Servus Forumsgemeinde, vermutlich eine recht einfache Frage, aber ich finde einfach keine Antwort, der ich zu 100% traue. Es geht darum, Leistungs-FETs quasi verpolt einzubauen. Also beispielsweise wird ein N-Kanal FET ja normalerweise mit seiner Drain an plus/Verbraucher und seinem Gate an GND angeschlossen. Baut man ihn nun verkert herum ein, dann leitet die meist integrierte Body-Diode und über den FET fällt eine Spannung von ca. 0,7V ab. Wenn ich ihn nun aber ganz normal aktiviere, also z.B. UGS=10V (=> UGD=10,7V unwichtig aber für mich grad irgendwie interessant), wird der FET dann ganz noraml leitend und UDS sinkt (je nach Strombelastung natürlich) unter 0,7V? Und ist dieser Zustand mit quasi rückwärts fließendem Strom zulässig oder geht da was kaputt? Ich danke euch schonmal