Schaltregler Verlustleistung Mosfet

#1293718
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Hallo Andi,

also, im Schaltbetrieb setzt sich die Verlustleistung des MOSFETs aus 
der Durchlaß- und der Schaltverlustleistung zusammen.

1) Durchlaßverluste (Verluste, die im eingeschalteten Zustand 
entstehen):
[math] P_{Durch} = I_D^2\cdot R_{DSon}\cdot D_max [\math]

2) Schaltverluste (Verluste, die beim Umschalten entsthen):
[math] P_{Schalt} = (U_{emin}+U_{a})\cdot \hat I_D\cdot {{Q_G\cdot 
f_{sw}}\over{I_G}} [\math]

Die gesamte Verlustleistung ergibt sich dann aus der Summe:
[math] P_{ges} = P_{Durch} + P_{Schalt} [\math]

Ich hoffe, das hilft Dir weiter!

Grüße,
J.R.
#1293725
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Habs grad gesehen:

1) Durchlaßverluste (Verluste, die im eingeschalteten Zustand
entstehen):

2) Schaltverluste (Verluste, die beim Umschalten entsthen):

Die gesamte Verlustleistung ergibt sich dann aus der Summe:
Gast #1298975
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Ich hätte dann auch nochmal ne Frage zu Qg.

Ich hab hier einen MOSFET mit folgend Daten im Datenblatt:
Qg (Total Gate Charge) = 71nC
Qgs (Gate to Source Charge) = 14nC
Qgd (Gate to Drain ("Miller") Charge = 21nC

Welchen Kapazitätswert nehme ich jetzt für die Berechnung der 
Verlustleistung? Bzw. was ist hier der Unterschied zwischen Qg und Qgs?

Gruß Andi
#1299015
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Andi schrieb:
> Qg (Total Gate Charge) = 71nC

Das ist das was man ansteuern muss, also der letztendlich interessante. 
Wobei dieser nur unter den angegebenen Bedingungen gilt, aber zum groben 
Abschätzen ok.

> Qgs (Gate to Source Charge) = 14nC

Das ist nur der Wert zwischen Gate und Source. Das ist eher ein 
theoretischer Wert, denn man so in der Praxis nicht messen kann, da man 
Drain auch immer hat.

> Qgd (Gate to Drain ("Miller") Charge = 21nC

Ähnlich wie Qgs, nur eben zwischen Gate und Drain.

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