Transistor BE revers

Gast #1298619
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Hallo,

ich möchte/muss die BE Diode eines Transistors zeitweise in Falschpolung 
betreiben (oberhalb der Durchbruchspannung).
Urev ist 24 Volt, den Strom habe ich auf 0.4mA begrenzt und der 
Transistor lebt noch.

Frage: Verkürzt das die Lebensdauer des Transistors nennenswert?

Danke, Gruß

Achim
Gast #1298736
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Helmut schrieb:

> Solche Spässchen reduzieren dauerhaft die Stromverstärkung des
> Transistors.

Diese Erfahrung habe ich auch schon gemacht, und zwar bei einem
Kleinleistungstransistor (BC847 o.ä.) und 1mA EB-Strom. Der Rückgang der
Stromverstärkung war recht deutlich (von 500 auf 300), bei längerem
Betrieb wäre der Transistor evtl. noch schlechter geworden.
Wahrscheinlich wird der Transistor dabei durch lokale Erwärmung
teilweise zerstört.

Bei Rauschgeneratoren liegt der EB-Strom üblicherweise im einstelligen
µA-Bereich.

Ich habe noch in keinem Datenblatt einen Angaben über den maximalen
EB-Strom gefunden und würden deswegen den EB-Durchbruch nicht als
Feature nutzen, sondern ihn durch Begrenzung der EB-Spannung (bspw. auf
5V) verhindern.
Gast #1298759
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> Spässchen reduzieren dauerhaft die Stromverstärkung des Transistors

ICH habe gehoert, dass damit das Rauschen des Transistor dauerhaft (also 
nicht nur so lange er in dieser Rauschgeneratorschaltung ist, sondern 
auch fuer spaeter, wenn man ihn auf normale Art verwendet) erhoeht wird.
Gemessen hab ich's nie.

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