Hallo,
ich möchte einen Mos-FET als Schalter nützen der mir mit einer
Steuerspannung von 5V (kommt vom Prozessor) 24V schält.
Was ich nun nicht verstehe ist, wie ich den FET schalten muss damit an
der Last auch wirklich nur im eingeschalteten Zustand die 24V anliegen!
Ich habe also vom Prozessor 0V als AUS-Signal und +5V als EIN-Signal,
das kann ich nicht ändern!
Mit einem n-channel könnte ich mit den Schaltpegel des Prozessors zwar
die Last schalten, aber da gefällt mir dann nicht, dass die Last im
ausgeschaltetem Zustand eben nicht nicht auf GND-Potential liegt sondern
oben 24V hat und mit dem Fußkontakt "in der Luft hängt", mir wäre lieber
wenn ich ständig GND an der Last habe und oben eben 24V oder (im
ausgeschalteten Zustand) überhaupt kein Potential.
So wie hier skiziert!
+24V o--------------------
|
|--|
0V / 5V µC <_______|
|->|
|
|---o
LAST
|---o
|
|
---
Meine Vermutung ist, dass ich das mit einem p-channel FET machen muss,
weiß aber nicht wie, könnt ihr mir dann bitte mal ein wenig auf die
Sprünge helfen?, DANKE!
mit einem N-MOS funktioniert es aber nicht so wie auf der Skizzierung oben! Denn bei einem N-MOS muss die Last doch über den FET und hängt somit ständig an 24V - es wird GND geschaltet, das will ich nicht! Hintergrund der Geschichte ist, dass zwischen FET und Last ein Stecker ist, mit einem N-MOS hätte ein Kontakt des Steckers ständig 24V, der andere Kontakt würde dann (je nach Schaltzustand) GND haben oder wäre potentiallos. ich benötige die Schaltung so wie skizziert, dass die Last unter dem FET sitzt und die 24V am Stecker und an der Last nur anliegen, wenn auch der 5V-Schaltpegel vom Prozessor kommt. Leider funktioniert das mit der Ansteuerung nicht, den so wie oben gezeichnet schaltet der n-kanal FET ständig durch und ich kann die Last nicht abschalten! :-( ich sehe aber den Fehler nicht! Ausserdem hab ich noch keine Schaltung gefunden bei der mit mit einem p-channel die Us geschalten wird, ist das überhaupt möglich?
Wie wärs mit nem Widerstand zwischen GND und NMOS möglichst hochohmig der zieht dann deinen "ausgang" auf GND wenn dein Schalter aus ist. oder hab ich dich da falsch verstanden Gruß Thomas
magst du das klicken der Realais nicht? Das wäre am einfachsten. Oder PNP Transistor, Emitter an 24V, Collec an RL. Dann müßtest du aber noch die Steuerspannung negieren. Gruß Andreas
nein, relais geht aufgrund der schaltfrequenz nicht, da wäre das relais zu schnell kaputt. Das mit dem Widerstand hab ich auch schon versiucht, aber ich bekommen es nicht hin dass der FET voll durchsteuert, ich habe nur etwas 2V am Ausgang! :-/
> Hintergrund der Geschichte ist, dass zwischen FET und Last ein Stecker > ist, mit einem N-MOS hätte ein Kontakt des Steckers ständig 24V, der > andere Kontakt würde dann (je nach Schaltzustand) GND haben oder wäre > potentiallos. Nur 'mal so: Mit dem Hintergrund kommst du aber reichlich spät. Zuerst war dein Argument nur ein schwaches "wäre lieber", daher mein Vorschlag einen NMOS zu nehmen (Last natürlich oben).
ach - einfach p-Kanal nehmen, und mit zusätzlichen npn vorm Gate einen Level-Shifter realisieren. Also µC-Augang über R an Basis des npn, Emitter auf Masse, Collector über einen Spannungsteiler nach 24V, die Mitte des Spannungsteilers zum Gate. Ohne Spannungsteiler würde es dem Mosfet schlecht ergehen, weil er üblicherweise nur 15-20V am Gate abkann. Deswegen Spannungsteiler. Bis zu wenigen kHz sollte dies gehen, wenn der Spannungsteiler nicht zu hochohmig (unterer kOhm Bereich)
ja Markus, ich hätte es früher erklären sollen! mit "wäre mir lieber" meinte ich, dass es tech. auch so realisierbar ist, aber eben "unschön". Das mit dem inverter resp. levelshifter hört sich gut an, werd' ich austesten! danke Jens!
@ Markus (Gast) >Nur 'mal so: Mit dem Hintergrund kommst du aber reichlich spät. Zuerst >war dein Argument nur ein schwaches "wäre lieber", daher mein Vorschlag >einen NMOS zu nehmen (Last natürlich oben). Ich sehe da keinen relevanten Unterschied zw. beiden "Hintergrundbeschreibungen". In beiden steht kein MUSS, sondern es wäre ihm nur lieber. Er hat nur im zweiten Anlauf beschrieben, warum es ihm lieber ist.
Also nen NMOS als Highside zu verwenden, wie oben skizziert, braucht man eine deutlich höhere Steuerspannung als die zu schaltende Spannung. Was spricht denn gegen einen PMOS?
>Was spricht denn gegen einen PMOS?
na eben dass der PMOS die Last nur unterhalb schalten kann - das ist
doch gerade das Problem dass ich mit einem PMOS nur GND, aber nicht die
24V schalten kann!?
Angehängte Dateien:
-
higsidepmos.png
486 Bytes
Hä, mit einem PMOS kann man durchaus 24V schalten. Source an 24V, Drain an die Last und die Last noch gegen GND schalten, schon klappt der Highside mit PMOS, vgl. auch Anhang
nur statt die 5V Signalquelle (µC) gegen 24V zu schalten, nimmste eben das Konstrukt mit dem npn, so wie von mir beschrieben.
Angehängte Dateien:
-
highsidepmos2.png
64 KB
Japp, sofern die Masse vom µC und der 24V die gleiche ist. Also so wie im Anhang. Ein Bild sagt ja mehr als tausend Worte. Achtung: Widerstandwerte sind willkürlich gewählt, d.h. in der Realität kann es bei dieser Beschaltung zum Abrauchen der ein und anderen Komponente kommen. Ströme berücksichtigen bei Auslegung der Widerstände!!
PS: Achja, den Spannungsteiler hatte ich mir gespart aber auch darauf ist zu achten: Am Gate dürfen gegen Source nur die maximal zulässige Spannungen auftreten. Bei mir sinds derzeit ein Ugs von -24V, üblich ist aber ein maximales Ugs von -20V, zur Sicherheit dürfte auch ein Ugs von -10V reichen, die meisten Kennwerte sind für diese Spannung.
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