MOSFET Gate Schutzbeschaltung

C.Wiggum Gast #1302656
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Hallo,

wie kann man das Gate eines N-Kanal Mosfets gegen Überspannung schützen?
Angenommen es können Spannungen auftreten, die größer als die maximal 
zulässige UGS sind.

Funktioniert eine Z-Diode am Gate des Mosfet gegen GND mit einem R in 
Reihe zur Strombegrenzung?

VG C. Wiggum
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geb Gast #1302690
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Z-Diode ist gut, den Widerstand in Reihe mit Z-Diode würde ich 
weglassen.
I.A. gibt man einen Widerstand in Reihe zwischen Ansteuerschaltung und 
Gate. Aber nicht zu hochohmig (je nach GD Kapazität, DS-Spannung ,und 
Schaltgeschwinigkeit)
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geb Gast #1302726
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Ansteuerschaltung ist in dem Fall aber eine variable Spannung, die
ggf.auch UGS übersteigen kann. Wenn ich den R in Reihe zur Z-Diode
einspare wird diese aber sehr ins schwitzen kommen?!?!

Die Z-Diode muß ohne Reihenwiderstand zw. Gate und Source geschalten 
werden,sonst nützt sie nicht viel.

Die Verlustleistung für die Zehner-Diode ist:

Uz*Iz  Uz...Zenerspannung, Iz... Diodenstrom

Iz = (Ua-Uz)/R  Ua... Ansteuerungsspannung, R... Widerstand zw. Anst. u. 
Gate

Die Verlustleistung am Widerstand:

 Iz² *R   oder (Ua-Uz)²/R
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geb Gast #1302786
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ich nehme an, daß Source und GND verbunden sind, bzw. nur durch einen 
niederohmigen Shunt verbunden sind. Gefährlich ist eine zu hohe GS 
Spannung, also im Zweifelsfall die Diode zwischen G und S schalten.
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