MOSFET Gate Schutzbeschaltung

C.Wiggum Gast #1302656 
Hallo,

wie kann man das Gate eines N-Kanal Mosfets gegen Überspannung schützen?
Angenommen es können Spannungen auftreten, die größer als die maximal 
zulässige UGS sind.

Funktioniert eine Z-Diode am Gate des Mosfet gegen GND mit einem R in 
Reihe zur Strombegrenzung?

VG C. Wiggum
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geb Gast #1302690 
Z-Diode ist gut, den Widerstand in Reihe mit Z-Diode würde ich 
weglassen.
I.A. gibt man einen Widerstand in Reihe zwischen Ansteuerschaltung und 
Gate. Aber nicht zu hochohmig (je nach GD Kapazität, DS-Spannung ,und 
Schaltgeschwinigkeit)
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C.Wiggum Gast #1302699 
Ansteuerschaltung ist in dem Fall aber eine variable Spannung, die 
ggf.auch UGS übersteigen kann. Wenn ich den R in Reihe zur Z-Diode 
einspare wird diese aber sehr ins schwitzen kommen?!?!
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geb Gast #1302726 
Ansteuerschaltung ist in dem Fall aber eine variable Spannung, die
ggf.auch UGS übersteigen kann. Wenn ich den R in Reihe zur Z-Diode
einspare wird diese aber sehr ins schwitzen kommen?!?!

Die Z-Diode muß ohne Reihenwiderstand zw. Gate und Source geschalten 
werden,sonst nützt sie nicht viel.

Die Verlustleistung für die Zehner-Diode ist:

Uz*Iz  Uz...Zenerspannung, Iz... Diodenstrom

Iz = (Ua-Uz)/R  Ua... Ansteuerungsspannung, R... Widerstand zw. Anst. u. 
Gate

Die Verlustleistung am Widerstand:

 Iz² *R   oder (Ua-Uz)²/R
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geb Gast #1302786 
ich nehme an, daß Source und GND verbunden sind, bzw. nur durch einen 
niederohmigen Shunt verbunden sind. Gefährlich ist eine zu hohe GS 
Spannung, also im Zweifelsfall die Diode zwischen G und S schalten.
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