Spannungs- / Stromsteuerung des Bipolartransistors

Thomas Gast #1309265
Lesenswert?
• ▲
▼ 
Hallo,

ich habe eine Frage zum Bipolartransistor. Wir hab im 
Elektronikpraktikum die Ausgangskennlinie (Ic(Uce)) eines 
Bipolartransistors gemessen.
Dazu mussten wir auch 2 Fragen beantworten. Meine Antworten passten aber 
dem Herrn Prof. leider nicht. Da mir keine andere Erklärungen einfallen, 
wende ich mich an euch, mit der Hoffnung ihr könnt mir helfen.

Frage 1:

Warum steigt bei Spannungssteuerung des Bipolartransistors (Ube=const.) 
bei kleinen Uce Spannungen der Basisstrom Ib so stark an?

Frage 2:

Warum nimmt bei Stromsteuerung des Bipolartransistors (Ib=const.) bei 
kleinen Uce Spannungen die Basis-Emitter-Spannung Ube ab?


Ich wäre wirklich sehr dankbar, wenn jemand eine präzise Antwort dazu 
hat.


mfg
Thomas
Beitrag melden Bearbeiten Thread verschieben Thread sperren Anmeldepflicht aktivieren Anpinnen Thread löschen Thread mit anderem zusammenführen Markierten Text zitieren Antwort Antwort mit Zitat
Marius S. Persönliche Seite #1309301
Lesenswert?
• ▲
▼ 
So 100% bin ich mir da auch nicht sicher, aber bei Frage 1 würde ich 
sagen:
Durch den kleinen Uce fließt durch die B-E Strecke weniger Strom, daher 
weniger durch Ic hervorgerufener Spannungsfall an der B-E Strecke und 
dadurch mehr Ib. Aber das ist nur zusammengereimt.

Die gleiche erklärung müsste man für die zweite Frage dann etwas 
umstellen. Bei kleiner Uce fällt halt weniger an der B-E strecke ab, 
daher weniger spannung.
Beitrag melden Bearbeiten Löschen Markierten Text zitieren Antwort Antwort mit Zitat
Thomas Gast #1309452
Lesenswert?
• ▲
▼ 
Ich hab mir nun folgende Erklärung überlegt.
Wäre nett, wenn jemand überprüfen könnte, ob die Erklärung schlüssig und 
richtig ist.

zur Frage 1:
Für Uce kleiner Ube ist der Transistor in Sättigung. Das passiert, wenn 
in die Basis Ladungsträger über die Emitter Basis Sperrschicht injiziert 
werden. Da Ube=const. bleibt die Injektionsrate an der Basis konstant. 
Bei steigender Uce können die Ladungsträger besser über die 
Raumladungszone abtransportiert werden -> größerer Ic.

zur Frage 2:
Auch hier gilt: Für Uce kleiner Ube ist der Transistor in Sättigung und 
die Basis-Kollektor Diode nicht leitend. Somit fällt an der 
Basis-Kollektor Diode mehr und an der Basis-Emitter Diode weniger 
Spannung ab für sinkendes Uce.

mfg

Thomas
Beitrag melden Bearbeiten Löschen Markierten Text zitieren Antwort Antwort mit Zitat
Thread beobachten

Antwort schreiben

Bitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben.

Bestehender Account

oder

Mit Google-Account einloggen

Noch kein Account?

Die Registrierung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.

Jetzt registrieren