Spannungs- / Stromsteuerung des Bipolartransistors

[Thomas (Gast)]

Hallo,

ich habe eine Frage zum Bipolartransistor. Wir hab im 
Elektronikpraktikum die Ausgangskennlinie (Ic(Uce)) eines 
Bipolartransistors gemessen.
Dazu mussten wir auch 2 Fragen beantworten. Meine Antworten passten aber 
dem Herrn Prof. leider nicht. Da mir keine andere Erklärungen einfallen, 
wende ich mich an euch, mit der Hoffnung ihr könnt mir helfen.

Frage 1:

Warum steigt bei Spannungssteuerung des Bipolartransistors (Ube=const.) 
bei kleinen Uce Spannungen der Basisstrom Ib so stark an?

Frage 2:

Warum nimmt bei Stromsteuerung des Bipolartransistors (Ib=const.) bei 
kleinen Uce Spannungen die Basis-Emitter-Spannung Ube ab?


Ich wäre wirklich sehr dankbar, wenn jemand eine präzise Antwort dazu 
hat.


mfg
Thomas

[Marius S. (lupin)]

So 100% bin ich mir da auch nicht sicher, aber bei Frage 1 würde ich 
sagen:
Durch den kleinen Uce fließt durch die B-E Strecke weniger Strom, daher 
weniger durch Ic hervorgerufener Spannungsfall an der B-E Strecke und 
dadurch mehr Ib. Aber das ist nur zusammengereimt.

Die gleiche erklärung müsste man für die zweite Frage dann etwas 
umstellen. Bei kleiner Uce fällt halt weniger an der B-E strecke ab, 
daher weniger spannung.

[Thomas (Gast)]

Ich hab mir nun folgende Erklärung überlegt.
Wäre nett, wenn jemand überprüfen könnte, ob die Erklärung schlüssig und 
richtig ist.

zur Frage 1:
Für Uce kleiner Ube ist der Transistor in Sättigung. Das passiert, wenn 
in die Basis Ladungsträger über die Emitter Basis Sperrschicht injiziert 
werden. Da Ube=const. bleibt die Injektionsrate an der Basis konstant. 
Bei steigender Uce können die Ladungsträger besser über die 
Raumladungszone abtransportiert werden -> größerer Ic.

zur Frage 2:
Auch hier gilt: Für Uce kleiner Ube ist der Transistor in Sättigung und 
die Basis-Kollektor Diode nicht leitend. Somit fällt an der 
Basis-Kollektor Diode mehr und an der Basis-Emitter Diode weniger 
Spannung ab für sinkendes Uce.

mfg

Thomas