Hallo, Ich habe folgende einfach Schaltungsanordnung: . +15V . | . | . | | . |R| . | | . | . | . C . \ | ___ . \|__B____|__R__|_____ 50kHz . /| . / | . E . | . | . | . GND R: je 1k Transistor: BC548B Wenn ich nun am Kollektor die Spannung abgreife, lässt sich erkennen, dass der Transistor nicht schnell genug sperrt. D.h. das 50kHz Signal hat kein 50% DC mehr. Das Sperren des Transistors erfolgt ca. 2,5us zu spät. Ich bekomme also eine Verzögerung rein deutliche Verzögerung rein. (Es ist aber dennoch ein schönes Rechtecksignal) Das durchschalten des Transistors erfolgt ohne jegliche Verzögerung. Was kann ich gegen diese Abschaltverzögerung machen?
Oder einen Kondensator (ca. 100pF) parallel zum Widerstand. Oder einen Mosfet (z.B. BS170) anstelle des Transistors verwenden. Oder eine Schottkydiode von der Basis zum Kollektor legen.
> Was kann ich gegen diese Abschaltverzögerung machen?
Den Transistor nicht so sehr in die Sättigung fahren :-/
Welchen Wert hat dein Basiswiderstand?
>z.B. Basiswiderstand verkleinern auf 200 Ohm verkleinert. Nur wenig Effekt. Wie klein darf ich ihn machen? > Oder einen Kondensator (ca. 100pF) parallel zum Widerstand. keine Wirkung >Oder eine Schottkydiode von der Basis zum Kollektor legen. In Sperrichtung? >Welchen Wert hat dein Basiswiderstand? ursprünglich 1k
Lukas BD schrieb: >>Oder eine Schottkydiode von der Basis zum Kollektor legen. > In Sperrichtung? In Durchflussrichtung, damit der Transistor nicht in Sättigung geht. >>Welchen Wert hat dein Basiswiderstand? > ursprünglich 1k sollte reichen
> Das Sperren des Transistors erfolgt ca. 2,5us zu spät.
Das ist normal.
Früher, als man nur bipolare Transistoren hatte, hat man deswegen viel
Augenmerk auf die Basisansteuerung gelegt.
Man nannte das Basisausräumung.
Zu dem spielen in dieser invertierten Form die Miller-Kapazitaet eine
Rolle, darüber sind ganze Bücher geschrieben worden.
Und man hat bei schneller digitaler Logik allerlei Kunstgriffe benötigt,
so die Schottky-Dioden zur Sättigungsverhinderung bei 74LS00,
oder die Sättigungsverhinderung in ECL Technik.
Heute gibt es MOSFETs, deren Gate man schnell umladen kann, mit MOSFET
Treibern.
Was wolltest du jetzt alles davon lernen ?
Verhindere die Sättigung oder räume die Basis aus, mit negativer
Ansteuerspannung bis zu -6V. Kann man auch ohne negative
Versorgungsspannung durch Spuen oder Kondensatoren erreichen.
Danke danke danke :-) Mit Kondensator klappt es nun doch, allerdings habe ich nun 1,5nF verwendet. Mit 100pF hats nicht geklappt. Wie kann der nötige Wert des Kondensators berechnet werden? Mit negativer Gatespannung klappts auch.
>>>Oder eine Schottkydiode von der Basis zum Kollektor legen. >> In Sperrichtung? >In Durchflussrichtung, damit der Transistor nicht in Sättigung geht. Na ja, ihr meint mit Durchflussrichtung nicht beide dasselbe. Die Durchflussrichtung der Schottky ist in Sperrichtung der BC-Diode zu legen.
MaWin schrieb: > Die Durchflussrichtung der Schottky ist in Sperrichtung der BC-Diode zu > legen. Nein. Die Diode muss genauso rum sein, wie die BC Diode, also parallel zu dieser: http://de.wikipedia.org/wiki/NPN http://de.wikipedia.org/wiki/Schottky-TTL Nur dann kann der Kollektor der Basis den Strom wegnehmen.
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