Spannungsgesteuerten Abschwächer bauen

Gast #1360285 
Hallo, Für einen DDS-Syntheziser brauche ich einen schnellen 
spannungsgesteuerten HF-Abschwächer.
Frequenz ist 100 bis 300MHz. Die maximale Abschwächung sollte 80dB 
betragen.
Der Rauschabstand sollte excellent sein.

Sind da PIN-Dioden heute noch erste Wahl? Brauche mal dringend Beratung. 
Verspreche, das ich auch nicht Beratungsresitent bin...
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Gast 
Servus,
in dem Frequenzbereich sind PIN-Dioden hervorragend geeignet und auch 
Stand der Technik wenn man stufenlos einstellen mag. Dazu gibt es einige 
Application-Notes von Agilent und Skyworks die man auch auf deren 
Homepage findet. Um die 80dB zu schaffen muß man aber zwei bis drei von 
diesen PI-Gliedern hintereinanderschalten.
Wenndie Dämpfung stufig ausreicht(z.B. 1dB-Schritte) würde man 
heutzutage digitale Step-Attenuatoren verwenden, z.B. von Hittite, Macom 
oder Peregrine.
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Gast 
PIN Dioden gehen gut. Man kann aber auch Mos-/JFets benutzen um 
Dämpfungsglieder zu bauen. Kann bei der Intermodulation Vorteile haben. 
Ansosten ist auch eine Kombination aus Step- und Variablen - Attenuator 
verwenden.

Viele Grüße,
 Martin L.
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Die dreifache PIN-Diode BAR60 und BAR61 sind besonders geeignet
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=BAR61

in der Applikationsschaltung ist ein kleiner Fehler, da hat Siemens von 
Intermetall aus der Applikation zum TDA1053 falsch abgeschrieben: Der 12 
kOhm-Widerstand rechts oben muß 1,2 kOhm haben, sonst kann nie der 
benötigte Strom fließen, für die geringste Dämpfung sollten es bis zu 10 
mA sein.

Hier die alter Applikation aus dem Applikationsbuch "Kapazitätsdioden, 
Schalterdioden, PIN-Dioden - Grundlagen und Anwendungen" von ITT 
Intermetall Freiburg 1975
Angehängte Dateien:
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