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Spannungsgesteuerten Abschwächer bauen
Gast
#1360285
Hallo, Für einen DDS-Syntheziser brauche ich einen schnellen spannungsgesteuerten HF-Abschwächer. Frequenz ist 100 bis 300MHz. Die maximale Abschwächung sollte 80dB betragen. Der Rauschabstand sollte excellent sein. Sind da PIN-Dioden heute noch erste Wahl? Brauche mal dringend Beratung. Verspreche, das ich auch nicht Beratungsresitent bin...
Gast
#1360448
Servus, in dem Frequenzbereich sind PIN-Dioden hervorragend geeignet und auch Stand der Technik wenn man stufenlos einstellen mag. Dazu gibt es einige Application-Notes von Agilent und Skyworks die man auch auf deren Homepage findet. Um die 80dB zu schaffen muß man aber zwei bis drei von diesen PI-Gliedern hintereinanderschalten. Wenndie Dämpfung stufig ausreicht(z.B. 1dB-Schritte) würde man heutzutage digitale Step-Attenuatoren verwenden, z.B. von Hittite, Macom oder Peregrine. Guckst du hier: http://www.macom.com/DataSheets/AT-110.pdf Die schaffen 30 dB, habe davon genug da, um auf 80 dB zu kommen.
Gast
#1360535
PIN Dioden gehen gut. Man kann aber auch Mos-/JFets benutzen um Dämpfungsglieder zu bauen. Kann bei der Intermodulation Vorteile haben. Ansosten ist auch eine Kombination aus Step- und Variablen - Attenuator verwenden. Viele Grüße, Martin L. Die dreifache PIN-Diode BAR60 und BAR61 sind besonders geeignet http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=BAR61 in der Applikationsschaltung ist ein kleiner Fehler, da hat Siemens von Intermetall aus der Applikation zum TDA1053 falsch abgeschrieben: Der 12 kOhm-Widerstand rechts oben muß 1,2 kOhm haben, sonst kann nie der benötigte Strom fließen, für die geringste Dämpfung sollten es bis zu 10 mA sein. Hier die alter Applikation aus dem Applikationsbuch "Kapazitätsdioden, Schalterdioden, PIN-Dioden - Grundlagen und Anwendungen" von ITT Intermetall Freiburg 1975 Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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