Transistoren mit Basis & Emitter verbunden

[Herbert (Gast)]

Welche Funktion haben die Transistoren Q1b & Q2b im Design 
(http://www.mikrocontroller.net/attachment/53333/Bruecke.PNG)? Es 
handelt sich um einen Brückengleichrichter.

[Mike G. (atom-dragon)]

http://de.wikipedia.org/wiki/Darlington-Schaltung

[Sven P. (Gast)]

Q1a und Q2b meinste doch sicher? Die sind dann einfach nur Dioden. Anode 
ist der Kollektor, Kathode Basis+Emitter.

[Herbert (Gast)]

Die Schaltung habe ich simuliert. Tausche ich die Transistoren gegen 
BAT54 aus, ist die Ausgangsspannung erheblich niedriger.

@Maximilian
Was hat der Transistor mit der Darlingtonschaltung zu tun?

[Ulrich (Gast)]

Da werden transistoren als Ersatz für Dioden benutzt. Die 
Kollektor-basis Diode hat in der Regel einen sehr geringe Leckstrom. Als 
Ersatz also eher so etwas wie 1N4148 oder BAV199.

[Helmut S. (helmuts)]

Hallo,
das ist eine sehr trickreiche Schaltung die einige Probleme hat.
Aufgabe der Ansteuerschaltung ist es kurze Einschaltimpulse für die 
unteren Mosfets zu erzeugen. Nur im Maximum der Sinuswechselspannung 
dürfen die unteren Mosfets eingeschaltet werden. Wären die länger oder 
zur falschen Zeit eingeschaltet, dann entlädt die Wechselstromquelle 
deinen Lade-C wieder.

Du musst Q1a und Q1b auf gleiche Spannung der Ucb-Didoe 
aussuchen(Ibc=200Au bis 300uA). Noch besser wäre es wenn Ucb von Q1a ein 
bisschen kleiner ist als Ucb von Q1b, aber nur wenige 10mV. Wenn das 
nicht passt, dann gibt es die benötigeten kurzen Impulse nicht.

Q1b muss im Inversbetrieb arbeiten. Deshalb wird Ucb von Q1a als 
"Referennz" verwendet. Hier ergibt sich nun das Problem, dass Ube mit 
bis zu 6V revers betrieben wird. Das ist eigentlich eine ganz schlecht 
Sache. Im Datenblatt steht da meisten maximal 5V. "Alte" Transistortypen 
halten mehr aus. Wenn es zum Durchbruch kommt, führt das langfristig zur 
Verringereung der Stromverstärkung des Transistors. Miss mal die 
Durchbruchspannung verschiedener Transistortypen und nimm die welche am 
meisten(>8V) aushalten.
Miss mal den 2N22222. Testschaltung: 10k Voriderstand und Netzteil.

In der Simulation sah das am besten aus, wenn alle Widerstände 22k sind.

Die Funktion lässt sich gut mit einem Oszi nachprüfen, wenn man die 
Impulse am Gate der unteren Mosfets und die Ausgansspannung anschaut.

[Harald (Gast)]

Die Schaltung beruht darauf das über dem Mosfet Q3 die Spannung gemessen 
wird und sobald Uds negativ ist wird er angesteuert. Q3 verhält sich 
jetzt wie eine Diode mit extrem kleiner Flussspannung. Q1a ist als Diode 
geschaltet um Ubc von Q1b zu kompensieren. Es ist deshalb wichtig das 
beide vom gleichen Typ sind. Noch besser ist es den in der Schaltung 
angegebenen Doppeltransistor in einem Gehäuse zu verwenden.
@Helmut
Den Inversbetrieb von Q1b mit mehr als 5V hatte ich für unkritisch 
gehalten weil R2 den Strom auf 100uA begrenzt. Er verhält sich in diesem 
Fall wie eine Z-Diode mit 8V. Kannst du einen Strom abschätzen ab dem es 
kritisch wird? Alternativ ist es natürlich möglich Q1b und Q2a wie in 
der Schaltung im Anhang zu betreiben. Der einzige Nachteil ist das sich 
die Kompensation um wenige mV verschlechtert.