Moin moin, bin schon seit einigen Stunden am versuchen eine Mosfet Schaltung aufzubauen, leider mit nicht soviel Erfolg. Im Netz findet man auch nur sehr wenig, wie man so eine Schaltung richtig dimensioniert. Hat da jemand Infos dazu? Möchte ein Signal von 0,775V RMS auf 28V verstärken und habe 250V DC zur Verfügung. Gruß Dirk
Gast
#1386013
mmh, 250V DC, das knallt gut...
Soll das 'ne Class-A-Endstufe werden, von wegen 775mV-Signal? Wieviel (Ausgangs-)Leistung soll das 'Ding' denn haben? Aber egal wie man den Ansatz bzw. die Berechnung auch macht, 250Vdc ist overkill für etwas, das nur etwas mehr als 80Vss benötigt. Also, wenn das Ding Leistung können soll/muß, ist (meineserachtens nach) die Herabsetzung der Betriebsspannung das primäre Ziel. Dann kannst Du nach 'normalen' Audio-Endstufen (Class-A oder auch -A/B) mit Single-Supply-Versorgung suchen gehen. Wenn die Betriebsspannung schon herabgesetzt wird, z.B. mittels DC/DC-Wandler, kann man auch am besten gleich über eine symmetrische Stromversorgung von z.B. ±45V nachdenken, anstatt nur eine asymmetrische mit etwa +90V vorzusehen. Wenn die ganze Sache nur Spannung und keinen Strom liefern muß, dann schau Dir mal die üblichen Verstärker für Piezos an, denn die benötigen nicht so hohe Ströme. Solange wir aber hier mehr in die Glaskugel schauen müssen anstatt detailiertere Angabe von Dir zu erhalten, wird's vermutlich auch kaum bessere Antworten geben.
Gast
#1386391
> extended MosFet SourceSchaltung Der Begriff ist nicht normiert. Du wirst schon sagen müssen, was DU damit meinst, denn jedes Marktingsgeschwätz wird was anderes meinen. > auf 28V verstärken und habe 250V DC zur Verfügung. Klingt wie schlechte Voraussetzungen, 95% Verlust.
Hallo, es geht um die Schaltung 4 bzw 7. Ich haben einen Anreicherungstyp N-Channel Hochvolt Mosfet. Die Ausgangsimpedanz der Schaltung kann ruhig Richtung 500kOhm gehen. Für Ra würde ich was bei 100kOhm ansetzen. Gruß Dirk
Angehängte Dateien:
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FETschaltN2.gif
17 KB
Gast
#1386511
Du willst Schaltung 7 nicht für einen linearen Verstärker, sei dir sicher. (und Schaltung 4 ist eh akademisch = praktisch nicht verwendbar, depletion MOSFETs sind kaum handelsüblich) Füge in die Leitung von Source nach Masse einen Widerstand von 5k ein, und nimm 180k als oberen Widerstand. Stell R1 und Rg so ein, dass ca. 1mA durch den Transistor fliessen (also 5V an den 5k anliegen und 180V an den 180k). Dann bewirkt eine Schwankung der Gate-Spannung um 0.775V eine Änderung des Stroms um 15%, was bei 1mA vs. 1.15mA durch 180k zu einer Spannungsänderung um 27V führt. Schnell und verzerrungsarm ist das aber nicht, von hier bis zu einem guten Verstärker ist noch ein weiter Weg.
@ MaWin: schonmal Danke :-) Werde es morgen mal versuchen. Habe gehört/gelesen man soll es so einstellen, dass am Ausgang die halbe Betriebsspannung anliegt. Gruß Dirk
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