Welchen Power-Mosfet kann man idealer weise hernehmen, der ab 10V am Gate voll durchschaltet und ausserdem 4A bei 12V (50W) und mehr aushält? Die Gatespannung soll der Mosfet über einen Transistor erhalten welcher Widerrum von einem AVR an der Basis angesteuert wird. Wie sieht es mit der Erwärmung bei 25 oder 50W aus? Brauchen die ein ordentliches Kühlblech auch wenn ein Mosfet 10 mOhm hat? Habe bisher was mit Relais gehabt und die sind doch recht träge. Gruß Andi
Kannst von etwa 0.15 Ohm ausgehen. Bei 4A sind das dann 2,4W. Lege den Kühler so aus, daß der FET maximal 80 Grad heiß wird. Mit einem 20K/W Fingerkühlkörper ist Dauerbetrieb möglich. Ws gibt auch noch bessere FETs, die z.B. 0.005 Ohm haben. Diese laufen ungekühlt. Kannst daztu ein defektes PC Mainboard schlachten. Bei Spannungen bis 30V ist auch der BUZ11 gut geeignet.
Danke für die ausführliche Info. Habe mir das PDF-File gesucht und da steht "Gate-Threshold Voltage" MIN.: 2.1V TYP.: 3V MAX: 4V Heißt das nun, das der am Gate mit max. 4V angesteuert werden darf oder ist das die Gatespannung, ab der der BUZ21 zwischen Drain und Source dann voll durchschaltet? Sorry der vielen Fragen aber mit FTE´s habe ich noch nix gemacht. Gruß Andi
Hi BUZ11 kann maximal +- 20V Ugs Ich würde aber eher zum IRLU2905 greifen. Ist zwar etwas teurer, hat aber einen um 25% kleineren Rdson und damit hast du weniger Verluste. Allerdings darf Ugs nicht größer als +-16V werden. Matthias
Hi Andi, Wenn Dir sowieso 10Volt Gate-Spannung zur Verfügung stehen, hast Du's schon mal Gut! nimm irgenteinen N-Kanal im TO220-gehäuse, was weiß ich, BUZ11 oder IRF540 oder sieh halt mal bei Reichelt nach. Habe ich gerade: Nimm einen IRF3710 , der kostet dort 0.87Euro, kann 100Volt/54Amps. und hat einen R_ds_on von 0.023Ohm. Da mach bei 4Ampere ein Verlustleistung von knapp 400mWatt. Da braucht man auch nichts kühlen. Aber bitte Nur Schalten! und das mit steilen Flanken... Die Spannung am Gate gegen Masse darf 20 Volt nicht überschreiten. Gruß AxelR.
@AxelR: Ist ja klasse! Genau sowas wollte ich, nen elektronischen Leistungsschalter ohne, oder mit geringer, Kühlung. Wie berechnet man eigentlich die Verlustleistung? Gruß Andi
Hi Für Gleichspannung: P=U*I P=U²/R P=I²*R In deinem Fall also (4A, 0,023Ohm): 4*4 * 0,023 = 0,368W Wenn du den FET allerdings mit PWM ansteuerst wird das Thema komplexer. Matthias
Zusatz zur Gate-Spannung: 1. Die MOSfets vertragen es, wenn die Gatespannung = Betriebsspannung ist. 2. Die BUZ ze schalten bereits ab 3..4V durch, das erspart vielleicht den zwischegeschalteten Transistor. Harald.
.... und das mit steilen Flanken... Die Spannung am Gate gegen Masse darf 20 Volt nicht überschreiten. .... Dabei bin ich davon ausgegenagen, dass das der "emitter" an Masse liegt. Ich krieg das immer durcheinander, also die Spannung darf zwischen Gate(BASIS) und Source(EMITTER) nicht größer als 20Volt und nicht kleiner als -20Volt steigen. Auch nicht in den Spitzen!. kannst ja mal zum Thema Ansteuern von MOSFETS hier im Forum suchen. (gatewiderstand) etc. http://www.mikrocontroller.net/forum/forum.php?query=gatewiderstand&forums%5B%5D=1&number=20&action=sendsearch Scönen Tag noch Axel
@Netbird: Das mit dem zwischen geschalteten Transistor, NPN, ist mir schon recht. Bisher war das ein externes "Relais-Modul" mit 2 Relais wo bei das 2. Relais in Verbindung mit 2 Dioden am Ausgang den Strom für alle 4 Blinker im KFZ durchgeschaltet hat. Das 2. Relais soll nun durch 1 oder 2 MOSFET´s ersetzt werden. Gut, den Transistor habe ich natürlich für das Relais benötigt. Zur Absicherung hatte ich einen Widerstand, 4,7K, nach dem AVR-Pin, dann durch ein Verbindungskabel (ca. 2m) zum Relaismodul und dort vor der Basis noch einen Widerstand, 4,7K. Wenn die Isolierung am Kabel mal aufschürft und mit der Karosse (Masse) zusammenkommt passier dann nix weil minimalst Strom. Wenn Du mir jetzt sagst, das man vom AVR-Pin mit knapp 5V über ca. 10K-Ohm das Gate am MOSFET auch ansteuern kann, lass ich gerne den Transistor dazwischen weg ausser die Schaltspannung wird nach den 10K-Ohm zu gering. Gruß Andi
@Andi Du, lass das mal mit dem transistor, sonst musst Du wieder nach Transistoren ausschau halten, die bei 5Volt schon RICHTIG schalten. Vile wichtiger beim Blinker: Schaltest Du von "oben", als die Plusleitung, oder liegt dauerplus an und du schaltest gegen die Karosse? Sonst müsste man noch "P-Kanal" oder "HighSide Switch" als Stichwörter in die Runde werfen... Gruß Axel
@AxelR: Bisher so: Dauerplus liegt am Relais-Eingang, durch die Spule und am NPN-Kollektor an. Kommt das 5V-Signal an der Basis zieht der NPN den Spulenstrom auf Masse und das Relais schaltet Dauerplus auf die Leitung Blinker-Plus. Dachte, beim Tausch des Relais gegen MOSFET lege ich Dauerplus an Source des MOSFET´s und an den Kollektor des NPN. Kommt das 5V-Signal vom Controller über 10K-Ohm zur Basis des NPN schaltet der NPN von seinem Emitter 12V an das Gate vom MOSFET welcher dann die 12V auf die Blinker durchschaltet. Dachte auch, die kleinen NPN-Transistoren sind Stromgesteuert und die Spannung an der Basis ist egal solange es nicht mehr als 1V sind. Wenn ich statt Relais jetzt einen IRF3710 nehme, wie mach ich das dann am besten? Oder doch lieber einen BUZ? Werde auf einmal nicht mehr schlau aus dem ganzen. Gruß Andi
Als ob ich's gerochen hätte... ganz einfach: deine Relaisspule ersetzt du durch einen Widerstand, am Kollektor vom NPN-Transistor gehts du über 100Ohm auf das GATE von einem P-KANAL-MOSFET. Der SourcePin "Emitter" kommt diesmal an Dauerplus, der Drain "Kollektor" zum Blinker. GEmeinsames Bezugspotential für den P-Kanal ist jetzt eben Dauerplus. Der Widerstand, was deine Relaispule war schliesst Gate-Sourc kurz, der Transistor sperrt. zieht dein NPN den Relaispulenstrom auf, hängt da jetzt der Widerstand, eine Spannung entsteht und der MOSFET schaltet. Kann man das so lassen? bei einem N-Kanal-MOSFET brauchst Du dann hingegen Dauerplus(12V)+ Minmale Gatespannung also insgesamt minimum 16-18 Volt zu Durchsteuern. Axel
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