Gast
#108512
Hallo erstmal. Bin auf der Suche nach Informationen zur Entwicklung eines Ladegerätes. Mein Ladegerät soll nicht nur laden, sondern auch mit einem hohen Strom (15 A) entladen können (auch Einzelzellen NiCd). Diese Funktion möchte ich gerne mit einem Power-Mosfet vom Typ IRFP2907 im TO247 Gehäuse realisieren. Je mehr Verlustleistung die Entladestufe zulässt, desto eher kann ich auch mal eine Akkutest fahren (Modellbau). Als Kühlkörper soll ein 100x100x40mm Kammprofil-Typ mit 1.3 K/W verwendet werden. Zusätzlich verpass ich dem eine Zwangslüftung. Der IRFP hat eine maximale RthJC von 0.32 K/W, wobei der RthCS mit typisch 0.24 K/W angegeben ist. Also habe ich mir überlegt, den IRFP auf einen Kupferblock aufzulöten, um die 0.24 K/W abzusenken. Dabei wollte ich zuerst die Transistor-Rückseite und dann den Kupferblock verzinnen. Hiernach den Kupferblock gerade so erwärmen, daß das Zinn schmilzt, den Transistor schnell anpressen und das ganze dann Kühlen. Das mit den aufgelöteten Leistungstransistoren habe ich schon mal in einer Dynacord-Endstufe gesehen (BDT64/65). Nun meine Frage: Weiss irgendjemand, ob der IRFP2907 eine Auflöt-Prozedur überlebt? Wie stark sinkt der RthSA eines zwangsbelüfteten Kühlkörpers ab? Danke für Antworten Gruß Marco