|
Anzeige
|
Grundlagen Elektronik
Gast
#1472096
Ich bin leider Maschinenbauer: Kann mir mal jemand grob sagen, wann und wo denn ein Einsatz von MOS FET, Sperrschicht-FET oder bipolare Transistoren möglich ist. Wo liegen denn die größten praktischen Unterschiede (Grundverhalten ist ja gleich) bzw. Vor- und NAchteile zwischen den Transistoren?
Gast
#1472098
wikipedia ist dein freund ;) http://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor
Gast
#1472118
Richtig ! Alle Typen Schalten was Durch bzw Sperren. Jetzt sind wir mit den Gemeinsamkeiten schon fertig... Bipolartransistoren sind "Stromverstärker". FETs sind "Spannungsverstärker" Bipolar hat auf der CE-Strecke immer einen Spannungsabfall (ca 0,2V). FETs haben da nur einen Widerstand. ...
Gast
#1472126
...Grundlagen der "Elektronik" wäre bei mir kein Transistor. Bei mir fangen die beim PN-Übergang an !
Gast
#1472282
Nachteil Bipolar: Du brauchst ständig einen mitunter recht hohen Basisstrom und somit Steuerleistung. Bei Mosfet braucht es nur im Umschaltmoment mal etwas Strom, um die Kapazitäten umzuladen, danach braucht es nur noch Spannung. Mosfets sind in den letzten 30 Jahren sowas von gut geworden (kleiner RDSON), dass sie bipolare Transistoren immer mehr verdrängen. Allerdings sind Bipolartransistoren oftmal billiger. Betrifft vor allem kleine Leistungen, ein BC337 oder BC547 ist unschlagbar im Preis.
Gast
#1472295
Man darf trotzdem nicht aus den Augen verlieren, daß die Ansteuerleistung bei Mosfets und sehr hohen Frequenzen höher als bei bipolar sein kann. Also ein Allheilmittel ist ein Mosfet auch nicht. Beide haben ihre Berechtigung und Einsatzgebiete. Bei hohen Spannungen und Strömen von ein paar Ampere ist bipolar im Vorteil. Bei geringeren Spannungen und hohen Strömen macht der Mosfet das Rennen. Der Übergang ist fließend.
Gast
#1472413
Vielen Dank für eure Unterstützung. "Bipolartransistoren sind "Stromverstärker". FETs sind "Spannungsverstärker"" Aber sind Bipolartransistoren nicht auch fähig, Spannungen zu verstärken? "Bipolar hat auf der CE-Strecke immer einen Spannungsabfall (ca 0,2V). FETs haben da nur einen Widerstand." Spricht man in diesem Fall schon vom Übersteuerungszustand? Hier sind doch beide Dioden in Durchlassrichtung betrieben, oder? U(ce) ist dann hier kleiner als U(be)? Und was heißt "FETS haben da nur einen Widerstand" (wie groß ist dieser ungefähr?)? Den haben doch Bipolartransistoren auch - wenn auch sehr klein? Wie hoch ist denn üblicherweise so ein Eingangswiderstand beim Bipolar-T?
Gast
#1472430
Es scheint, das du wirklich in die Grundlagen willst. Das können wir hier nur bedingt. Suche aber da mal nach Vierpolparameter. Bei Transistoren ist z.Bsp. der h21e ein wichtiger Parameter.
Gast
#1472440
Ich habe mal gegurgelt. Das meiste ist "überwissenschaftlich", auch Wikipedia. Evtl. geht das : http://ds2.etech.fh-hamburg.de/~kraner_j/Formelsammlung.html Man muß sich die aufbereiteten Vierpole für die Halbleiter/Transis... holen. Dann geht es schon. Antwort schreiben |
Anzeige
|
