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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Grundlagen Elektronik


Autor: Gabriel (Gast)
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Ich bin leider Maschinenbauer:
Kann mir mal jemand grob sagen, wann und wo denn ein Einsatz von MOS 
FET, Sperrschicht-FET oder bipolare Transistoren möglich ist. Wo liegen 
denn die größten praktischen Unterschiede (Grundverhalten ist ja gleich) 
bzw. Vor- und NAchteile zwischen den Transistoren?

Autor: gast1 (Gast)
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Autor: hoho (Gast)
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Richtig !
Alle Typen Schalten was Durch bzw Sperren.
Jetzt sind wir mit den Gemeinsamkeiten schon fertig...


Bipolartransistoren sind "Stromverstärker".
FETs sind "Spannungsverstärker"


Bipolar hat auf der CE-Strecke immer einen Spannungsabfall (ca 0,2V).
FETs haben da nur einen Widerstand.

...

Autor: hoho (Gast)
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...Grundlagen der "Elektronik" wäre bei mir kein Transistor.

Bei mir fangen die beim PN-Übergang an !

Autor: Winfried (Gast)
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Nachteil Bipolar: Du brauchst ständig einen mitunter recht hohen 
Basisstrom und somit Steuerleistung. Bei Mosfet braucht es nur im 
Umschaltmoment mal etwas Strom, um die Kapazitäten umzuladen, danach 
braucht es nur noch Spannung.

Mosfets sind in den letzten 30 Jahren sowas von gut geworden (kleiner 
RDSON), dass sie bipolare Transistoren immer mehr verdrängen. Allerdings 
sind Bipolartransistoren oftmal billiger. Betrifft vor allem kleine 
Leistungen, ein BC337 oder BC547 ist unschlagbar im Preis.

Autor: mhh (Gast)
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Man darf trotzdem nicht aus den Augen verlieren, daß die 
Ansteuerleistung bei Mosfets und sehr hohen Frequenzen höher als bei 
bipolar sein kann. Also ein Allheilmittel ist ein Mosfet auch nicht. 
Beide haben ihre Berechtigung und Einsatzgebiete.

Bei hohen Spannungen und Strömen von ein paar Ampere ist bipolar im 
Vorteil. Bei geringeren Spannungen und hohen Strömen macht der Mosfet 
das Rennen. Der Übergang ist fließend.

Autor: Gabriel (Gast)
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Vielen Dank für eure Unterstützung.


"Bipolartransistoren sind "Stromverstärker".
FETs sind "Spannungsverstärker""

Aber sind Bipolartransistoren nicht auch fähig, Spannungen zu 
verstärken?


"Bipolar hat auf der CE-Strecke immer einen Spannungsabfall (ca 0,2V).
FETs haben da nur einen Widerstand."

Spricht man in diesem Fall schon vom Übersteuerungszustand? Hier sind 
doch beide Dioden in Durchlassrichtung betrieben, oder? U(ce) ist dann 
hier kleiner als U(be)?

Und was heißt "FETS haben da nur einen Widerstand" (wie groß ist dieser 
ungefähr?)? Den haben doch Bipolartransistoren auch - wenn auch sehr 
klein?

Wie hoch ist denn üblicherweise so ein Eingangswiderstand beim 
Bipolar-T?

Autor: Michael_ (Gast)
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Es scheint, das du wirklich in die Grundlagen willst. Das können wir 
hier nur bedingt.
Suche aber da mal nach  Vierpolparameter.
Bei Transistoren ist z.Bsp. der h21e ein wichtiger Parameter.

Autor: Michael_ (Gast)
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Ich habe mal gegurgelt. Das meiste ist "überwissenschaftlich", auch 
Wikipedia.
Evtl. geht das : 
http://ds2.etech.fh-hamburg.de/~kraner_j/Formelsammlung.html
Man muß sich die aufbereiteten Vierpole für die Halbleiter/Transis... 
holen. Dann geht es schon.

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