Hallo Zusammen, ich möchte mit meinem AVR eine Ohm'sche Last (Heizdraht) regeln. Die einfachste Variante denke ich ist PWM. Nur jetzt die Frage: welche FETs sind am geeignetsten hierfür?? Brauche ich Treiber dafür? Die Schaltung wird zusammen mit dem Heizdraht aus einer Autobatterie mit 12 V versorgt. Die FETs müssen einen Strom von max. 10 A bei 12 Volt halten, ohne sonderlich heiss zu werden. ich habe bereits gesucht im Forum, aber nichts gefunden was so richtig als Antwort passt... Vielen Dank für jede Hilfe!! Gruß, Peter.
welche FETs sind am geeignetsten hierfür?? IRL2203N , 7 mOhm Brauche ich Treiber dafür? Ja , z.B. ICL7667 .
eine kleine Übersicht weiterer Power FETs und deren Kenndaten http://www.nessel.info/Fet3fett/fet3fett.htm ebenso Hinweise über den Umgang mit Power FETs http://www.nessel.info/FET_a/fet_a.htm
Wenn du eine Logic-Level FET nimmst, brauchst du keinen Treiber, weil du ja nicht schnell schalten musst. Bei Heizdrähten reichen ja wenige Herz und damit sind Schaltverluste am FET gering. Möglich wäre: irl2905
hallo, um mir als anfänger ein besseres bild zu machen suche ich ein schaltplan, wie so ein fet per avr mit pwm zum schalten gebracht werden kann. da ich noch neu bin, verstehe ich die texte ohne bild nicht so recht.... gerade auch was freilaufdiode etc angeht wäre nett, wenn mir da einer helfen könnte Besten dank
Für einen ersten Versuch das Gate eines irl2905 z.B. mit einem 100 Ohm Widerstand in Reihe an den Microcontroller anschließen, der mit 5 V laufen sollte. Source an Masse, zwischen Drain und +UB die Last. Freilaufdiode brauchst du bei einem Heizdraht nicht. Wenn induktive Lasten, dann Freilaufdiode zwischen Source und Drain in Sperrichtung, also Anode an Masse. Oder Freilaufdiode an die Last, dann auch in Sperrichtung.
Sind 100 Ohm nicht viel zu viel? Ich benutze meist maximal 10 Ohm, ansonsten leidet die Flankensteilheit der PWM doch viel zu viel.
jau, einfach einen logikpegel N-Fet, oder, wenns halt high side sein muss, einfach mit einem kleinen N-Fet einen großen P-FET schalten (IRF9540 oder so). Bei ner heizung kann die tägerfrequenz ja 1Hz sein, dann gints praktisch keine schaltverluste. hab mal sowas als lötkolbenregelung zusammengenagelt. während der ausschaltzeit wird der wicklungswiderstand über eine messbrücke gemessen, damit wird das ding dann geregelt - evtl. auch für deine anwendung interessant.
100 Ohm sind bei wenigen Herz Schaltfrequenz nicht zu viel. Der Widerstand entlastet den Prozessor etwas, sonst fließen zu große Ströme. Aber selbst 100 Ohm sind eigentlich schon zu wenig für die AVR-Spezifikation. Ich hätte aber trotzdem keine Bedenken. Man kan natürlich auch mal etwas höhere Werte ausprobieren, z.B. 330 Ohm.
was eignet sich eigentlich besser für kh-betrieb per pwm, wenn es um ohmsche lasten geht (zählt ein magnetventil auch dazu?) so ein fet oder ein leistungstransitor wie der bdx33?
Der Unterschied liegt oft hauptsächlich in der Verlustleistung. Wenn du also diese mal betrachtest, fällt die Entscheidung oft zugunsten von Mosfet aus. Bipolar kann man dagegen schnell schalten, ohne dabei große Kapazitäten umladen zu müssen, wie bei Mosfet.
na prima, kein wort verstanden...warum kann man die dinge nicht gleich so verstehen, und muß nicht erst lernen sie zu verstehen um dann zu sehen, daß wenn man es gleich gewußte hätte, der lernvorgang wesentlich schneller von statten gegangen wäre.... was bedeutet verlust? meinst du den minimalen spannungsverlust und damit verminderte leistung (als halt weniger drehzahl beim lüfter zb) wenn ein leistungstransistor eingesetzt wird? was bedeutet bipolar in dem zusammenhang? vielleicht hätte ich doch landschaftsgärtnerei als hobby nehmen sollen....
@Michael: Ich empfehle dir, mal den "Tietze/Schenk, Halbleiterschaltungstechnik" in die Hand zu nehmen. So ein paar Grundlagen sind wirklich wichtig. Natürlich kann man auch gleich mit dem Lötkolben rumbraten und irgendwas nachbauen. Viel befriedigender ist es aber, zu wissen, warum etwas wie funktioniert. Deshalb hattest du ja warhscheinlich auch gefragt. Bei Transistoren unterscheidet man grob Bipolartranistoren (npn, pnp) und Feldeffekttransistoren (FET, Mosfet). Mit Verlusten sind Verlustleistungen gemeint, also eine Leistung, die dort verbraten wird, wo man das eigentlich nicht möchte. Ein Mosfet ist am Gate sehr hochohmig - schöne Sache, weil der so kaum einen Strom braucht, um ein- oder ausgeschaltet zu werden. Kommt allerdings hinzu, dass parasitäre Kapazitäten am Gate wirken (Kapazitäten, die nicht gewünscht aber eben da sind). Vereinfacht kannst du dir vorstellen, dass zwischen Gate und Source ein Kondensator hängt. Wenn du schnell schalten willst, muss der immer umgeladen werden. Dazu braucht man mitunter Ströme bis in den Amperbereich hoch, wenn man schnell schalten will (einige KHz). Bei einem Bipolartransistor ist das nicht so. Der braucht allerdings einen Basisstrom, auch bei geringen Frequenzen. Da wird also Leistung verbraten. Außerdem fällt oft zwischen C-E eine höhere Spannung ab, wie bei Mosfets zwischen Source und Drain. Obwohl man sowas auch nicht allgemein sagen kann, es kommt drauf an. Um das begreifen zu können, empfehle ich dir, wie oben geschrieben, Tietze/Schenk.
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