Hallo, Wie eine Flash/EEPROM-Zelle funktioniert ist mir im Prinzip klar. Im Inet gibt es ja auch sehr viele Seiten dazu. Jedoch habe ich noch keine Quelle gefunden, welche beschreibt wie der Programm-Vorgangs zeitlich von statten geht! Frage 1: Lege ich für das tunneling oder hot electron injection einfach einen kurzen Puls an und gehe davon aus dass die Zelle richtig/vollständig programmiert wird? Sind es evtl mehrere Pulsfolgen? (Steht so in einer alten T-S Ausgabe, ob das noch aktuell is?) Frage 2: Wie funktioniert das bei MLC (multi level cells), ich muss doch irgendwie die Alterung des Gateoxids berücksichtigen um die richtige Menge Ladung auf das Floating Gate zu bekommen ? Frage 3: Wie funktioniert der Lesevorgangs bei MLCs nun korrekt? Legt man z.b. bei einer 2-Bit Zelle nacheinander 4 Gatespannungen an und testet dadurch das Uth der Zelle (das würde ja sehr lang dauern?!) Oder messe ich für eine feste Gatespannung einfach die Leitfähigkeit der Speicherzelle ? Falls da jemand was weiß oder Tipps für Quellen / IEEE papers hat würde ich mich sehr freuen.
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