Hallo, Wie eine Flash/EEPROM-Zelle funktioniert ist mir im Prinzip klar. Im Inet gibt es ja auch sehr viele Seiten dazu. Jedoch habe ich noch keine Quelle gefunden, welche beschreibt wie der Programm-Vorgangs zeitlich von statten geht! Frage 1: Lege ich für das tunneling oder hot electron injection einfach einen kurzen Puls an und gehe davon aus dass die Zelle richtig/vollständig programmiert wird? Sind es evtl mehrere Pulsfolgen? (Steht so in einer alten T-S Ausgabe, ob das noch aktuell is?) Frage 2: Wie funktioniert das bei MLC (multi level cells), ich muss doch irgendwie die Alterung des Gateoxids berücksichtigen um die richtige Menge Ladung auf das Floating Gate zu bekommen ? Frage 3: Wie funktioniert der Lesevorgangs bei MLCs nun korrekt? Legt man z.b. bei einer 2-Bit Zelle nacheinander 4 Gatespannungen an und testet dadurch das Uth der Zelle (das würde ja sehr lang dauern?!) Oder messe ich für eine feste Gatespannung einfach die Leitfähigkeit der Speicherzelle ? Falls da jemand was weiß oder Tipps für Quellen / IEEE papers hat würde ich mich sehr freuen.
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.