Gast
#1563779
Hallo, ich versuche gerade eine monostabile Kippstufe mittels zweier NPN Transistoren aufzubauen. Sie soll nach dem Betätigen eines Schalters ein positiven Impuls von etwa 750ms länge erzeugen. Dazu habe ich die anhängende Transistorschlatung zusammengeferkelt. In der Simulation sieht das auch erstmal ok aus. Da ich aber mit einer relativ hohen Spannung (25V..30V) arbeite, wollte ich vor dem Aufbau der Schaltung nochmal erkundigen welche Schutzmaßnahmen man vorsehen sollte. An der Basis-Emitter Strecke von Q5 liegt im Umschaltmoment die volle Spannung in Sperrichtung an. Diese darf eigentlich nicht größer als 6V bei dem von mir verwnedeten Transistor sein. Man ließt in vielen Büchern, dass man den Transistor mit einer Serien-Diode vor die Basis von Q5 schützen kann. Ich kann in der Simulation jedoch nicht sehen, dass diese Spannung durch die Diode in irgend einer Weise begrenzt wird. Hat von euch jemand eine Idee, ob diese Diode Sinn macht oder ob man den Transistor anderweitig schützen kann?
