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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Verständnisproblem MOSFET


Autor: Thomas Burkhart (escamoteur)
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Hi,

ich have einen BSS123

entsprechend

                (VCC)
                  |
                (Last)
                  |
                  |
               (Drain )
(Port µC) -----(Gate  )
               (Source)
                  |
                  |
                (GND)


Angeslossen. Das Gate über 470k pulldown mit GND verbunden. Last hängt 
im Moment keine dran. Eigentlich dürfte ich in diesem Zustand doch keine 
Spannung zwischen VCC-> Drain messen oder? (Vcc3,3V) dennoch erhalte ich 
hier ca. 1V.

Woran liegt das?

Gruß
Tom

: Verschoben durch Admin
Autor: Rainer Unsinn (r-u)
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Wie meinst Du das "Last hängt keine dran"? Male mal Deine Schaltung wie 
sie jetzt ist, ohne Last, und wo Du gegen GND misst..

Autor: Thomas Burkhart (escamoteur)
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(VCC)
                  |




                  |
                  |
               (Drain )
(Port µC) -----(Gate  )
               (Source)
                  |
                  |
                (GND)


ich messe einfach von Vcc nach Drain.

Gruß
Tom

Autor: ich (Gast)
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ja und? wo ist das Problem?
Der MOSFET wird etwa den doppelten Off-Widerstand haben wie der 
Innenwiderstand deines Spannungsmessers, kann das sein?

Autor: Thomas Burkhart (escamoteur)
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Wilhelm Ferkes schrieb:
> Das Gate
> ist eine Kapazität, und die Ansteuerung damit ein RC-Glied. 470k scheint
> mir extrem hoch.

Die 470k sind nur als Pulldown, nicht zwischen µC und GATE.

Ich berühre die Spitze definitiv nicht und solange ich Drain nicht 
berühre zeigt mit das Meßgerät auch brav 0V an

Gruß
Tom

Autor: Tobias (Gast)
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ich meint der Mosfet wird von drain to source ungefähr den selben 
Widerstand haben wie der Innenwiderstand deines Messgerätes. Du hast 
dann einen Spannungsteiler aus Rds und Innenwiderstand und daher ca. 1/2 
Vcc an deinem Messgerät.

Autor: ??? (Gast)
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Er misst laut seiner Aussage zwischen VCC und Drain. Du schreibst, du 
hättest keine Last angeschlossen. Sind die Klemmen an der Stelle der 
Last nun einfach offen, oder hast du die kurz geschlossen? In dem Fall 
dürftest du natürlich keinen Spannungsabfall zwichen VCC und Drain 
messen, oder deine Verbindung ist nicht ok.

Autor: Wilhelm F. (ferkes-willem)
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@Thomas Burkhart:

Sorry, ich hatte oben meinen Beitrag gerade gelöscht, da nicht ganz 
korrekt.

In den Datenblättern zu solchen Bauteilen (ich schaute mir den BS170 an, 
da ähnlich) gibt es den Parameter "Zero gate voltage drain current", 
dort mit 50nA bei 60V angegeben.

Autor: Thomas Burkhart (escamoteur)
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Tobias schrieb:
> ich meint der Mosfet wird von drain to source ungefähr den selben
> Widerstand haben wie der Innenwiderstand deines Messgerätes. Du hast
> dann einen Spannungsteiler aus Rds und Innenwiderstand und daher ca. 1/2
> Vcc an deinem Messgerät.

Ah, ok. D.h. bin mir immer noch nicht bewußt, dass auch bei solch hochen 
Widerständen immer noch ne Spannung zu messen ist. D.h. aber es dürfte 
eigentlich so gut wie kein Strom fließen. Mist dass gerade jetzt bei 
meinem meßgerät die Sicherung durch ist.

Gruß
Tom

Autor: Wilhelm F. (ferkes-willem)
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@Thomas Burkhart:

>D.h. aber es dürfte eigentlich so gut wie kein Strom fließen.

Doch, der durch die Reihenschaltung aus abgeschaltetem FET und dem 
Innenwiderstand deines Spannungsmessers. Und der Spannungsmesser zeigt 
den Teil der Spannung an, der an ihm abfällt.

Sicher wird dein Meßinstrument bei Spannungsmessungen einen 
Innenwiderstand >>10MOhm haben, vielleicht 500MOhm? Der FET hat ca. 
1GOhm. Da kommt es mit 1V hin. Der "reale" FET ist eben kein "ideales" 
Bauteil.

In der Zeit, als die Meßinstrumente noch 20kOhm pro Volt hatten, bekamen 
wir stets eingetrichtert, daß man bei Spannungsmessungen immer auf die 
Fehlerspannungsmessung achten muß. Nun, das ist heute weitgehend 
eliminiert. Außer beim Strom. Da werden günstige Meßgeräte auf Grund von 
Sparmaßnahmen beim Shunt nicht gerade besser.

Übrigens hättest du mit so einem "alten" Spannungsmesser 
(Drehspulinstrument) eben 0V gemessen.

Autor: Lothar Miller (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite
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> Mist dass gerade jetzt bei meinem meßgerät die Sicherung durch ist.
Du wirst jetzt aber nicht versuchen, den Drainstrom zu messen?
Und dann zufällig mit angeklemmten Messgerät den Mosfet einschalten  :-o

Mach doch einfach einen 10k Widerstand als Last rein...

Autor: Thomas Burkhart (escamoteur)
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Lothar Miller schrieb:
>> Mist dass gerade jetzt bei meinem meßgerät die Sicherung durch ist.
> Du wirst jetzt aber nicht versuchen, den Drainstrom zu messen?
> Und dann zufällig mit angeklemmten Messgerät den Mosfet einschalten  :-o
>
> Mach doch einfach einen 10k Widerstand als Last rein...

Keine Angst Lothar, ich wollte nur mit dem Messgerät messen ob ein Strom 
bei ausgeschaltetem FET fließt. Sonst pack ich schon nen Widerstandrein.

Ich hatte immer noch die Vorstellung so ein FET sei ein idealer 
schalter, d.h. dass überhaupt kein Strom durchfließt.

Wieder was gelernt.

Gruß
Tom

Autor: ideal (Gast)
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Nichts ist ideal. Alles ist mehr oder weniger weit vom idealen Verhalten 
entfernt. Selbst ein oller Widerstand hat Induktivität und ein klein 
wenig Kapazität.
Bei Halbleitern ist das alles nochmal ne ganze Ecke komplexer. Muss man 
sich dran gewöhnen ;).

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