Floating Potential beim floating MOSFET

[divB (Gast)]

Hi,

Hat jemand vom floating MOS Speicher (=Flash Memory) eine Ahnung?

Das ist ja ein MOSFET mit zwei Gates: 1x fix, 1x floating. Dazwischen 
gibts jeweils die Kapazitaeten C1 und C2.

Das Potential am Floating gate

$$\phi_F$$

 ist gegeben mit:

$$\phi_F = \frac{C_1 \cdot V_G + Q_F}{C_1 + C_2}$$

wobei V_G die Gatespannung ist und Q_F die Ladungen im Floating gate. 
Die Frage ist nur: Wieso?!

Mittels kapazitivem Spannungsteiler erhalte ich (wenn man Q_F weglaesst) 
genau obige Formel. Wenn ich dann Q_F dazu addiere passt das, auch die 
Dimensionen stimmen.

Aber wieso? Ich verstehs irgendwie nicht. Ist der Ansatz mit dem 
Spannungsteiler mal richtig (was ich denke)?

LG
divB