Gast
#1603520
Hallo, ich habe die ähnlichen Themen gesehen, meine Frage wurde leider nicht beantwortet. npn-Transistor, Ausgangskennlinien http://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Datei:Kombiniertes_Kennlinienfeld_Transistor_2.svg&filetimestamp=20090718122645 Im Betrieb ist mir das Prinzip halbwegs klar: Die Basis-Emitter Sperrschicht wird abgebaut - es fließen Elektronen vom Emitter zur Basis, diese rekombinieren mit den Löchern, aber weil die Basisschicht so dünn ist (dünner als die mittlere Diffusionslänge der Elektronen) kommen sie in den Bereich Basis-Kollektor, wo sie - durch das elektrische Feld beschleuningt - gen Kollektor wandern. Wieso steigt die Ausgangskennlinie bis zu einem gewissen Bereich an? Ein paar Überlegungen dazu: Ich lege eine Spannung U_CE an, die "beschleunigende" Sperrschicht Basis-Kollektor baut sich auf. Erhöhe ich die Spannung U_CE weiter, ist der Transistor irgendwann gesättigt. Muss eigentlich falsch sein, weil ich dachte der Sättigungsbereich wäre der Bereich des Anstiegs). Vielleicht könnt Ihr mir auf die Sprünge helfen! Danke schonmal.
