Ich verwende einen TC4469CPD (DIP Package) mit 5V. An den Logikeingängen liegen VOH=5V/VOL=0V an. An den ersten beiden Ausgängen, der eine Ausgang(1) ist als +, der andere(2) als - geschaltet, hängt eine Last von ~250ohm. Dabei fällt die Spannung ab. Hänge ich eine weitere Last parallel an die beiden Ausgänge, fällt die Spannung weiter ab. Warum? Im Datenblatt steht, dass 300ma pro Ausgang kein Problem sind. Allerdings ist bei nur ~60mA die Spannung schon auf 3V abgefallen. Ein VOH/Last Diagramm gibt es im Datenblatt nicht, oder ich habe es übersehen... Hier das Datenblatt: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/microchip/21425b.pdf
Dann schau dir mal Figure 2.9 und 2.12 an Da sieht man den Rdson der Endstufe in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung. Und bei 5V liegt der Rdson bis über 30 Ohm Und wenn du 60mA ziehst, gibt das einen Spannungsabfall von 0,06A * 33R = 2V und am Ausgang steht noch 3V zur Verfügung. Wenn man mit dem Treiber nun das Gate eines MOSFET ansteuert, macht das nix weil die Gatekapazität nach einem Peak im ns-Bereich umgeladen ist und danach liegen die vollen 5V an. Zur Entnahme von Dauerströmen kann man z.B. einen komplementären Emitterfolger nachschalten: http://www.lautsprechershop.de/theorie/transistor3.htm der die Spannung (nahezu) 1:1 weiterreicht und den Strom verstärkt.
Ich möchte damit bi-stabile Relais mit einer Spule umschalten... da kommt mir die H-bridge ganz gelegen. Die verwendeten Relais brauchen ziemlich exakt 3ms lang 5V bei einem Widerstand von ~21ohm, damit die Spule wechselt. Gibt's eine einfachere Variante als einen Motortreiber, hinter den ich noch Transistoren schalten muss? Ich bin jetzt ziemlich enttäuscht vom TC4469 ;)
Ist doch der ideale Einsatzfall für einen MOSFET. z.B. IRF7413 als N-Kanal, schaltet GND durch z.B. IRF7416 als P-Kanal, schaltet + durch und eben genügend niederohmig im 0,0xx Ohm Bereich, da kommen die 5V voll durch. gibts bei Angelika zum Normalpreis und auch beim C.....
Wäre wohl die schönste Variante, das Ding diskret mit MOSFETs aufzubauen, ich muss aber je nach Ausbaustufe bis zu 8x8 bi-stabile Relais steuern (jeweils 8 parallel mit einer H-bridge), das wären dann 32 MOSFET ICs auf der Platine, viel zu viel. Aber eine leicht verfügbare H-bridge im Bereich von ~300mA mit einer rdson im sub ohm Bereich? Da fällt mir die BA6845FS ein, weniger als VCC-0.2V Spannungsabfall im Bereich von ~300mA. Aber die saugt mir ~55mA aus der Spannungsversorgung... das sind 220mA für die 4 ICs, um die 8 H-bridges zu schalten, und so viel stehen mir nicht zur Verfügung. TDA7073 wäre eine super Option, aber wenn mich nicht Alles täuscht ist die rdson auch nicht besonders (8 ohm?) und daher keine Möglichkeit. Mehrere h-bridges mit MOSFET arrays zusammenschustern?
Hab mir das SM8 package nun an 8 Kabel gelötet und damit eine H-bridge des TC4469CPD ersetzt. Funktionierte auf Anhieb mit viel besserer Performance. Ausgang des p-Kanal MOSFETs links oben an das Gate des n-Kanal MOSFETs rechts unten und Ausgang des rechts oben an das Gate des links unten, Steuerung über 2 uC Pins (Pin A High an das Gate des MOSFETs links oben und PIN B an das Gate des rechts oben). Performance: ca 4.7V bei der Last von 60mA. Das ist ok. Da müsste ich auch mit den 160mA locker hinkommen und alle Relais zuverlässig schalten können. Gibt's bei Reichelt für etwas mehr als einem €. Super RDS-on für eine integrierte, preiswerte und verfügbare p/n H-bridge. Da sie noch nicht bei den h-bridges eingetragen im Artikel eingetragen ist, werde ich das noch nachholen. Ich habe das ganze jetzt nackt angeschlossen; keine Widerstände, keine Dioden, keine Kondensatoren. Könnte ich das ganze noch mit optimieren oder reicht die nackte Schaltung?
Nettes Teilchen von ZETEX, kann man sich merken. Die Ansteuerung kenne ich aber etwas anders; nämlich über Kreuz. Also Port A an G1+G3 und Port B an G2+G4 damit die Gates immer definiertes Potential haben. Und jeweils Gate-Widerstand ca. 100 Ohm kann nicht schaden, weil die Gate-Kapazitäten den µC Ausgang mit Kurzschluss-Peak im Schaltmoment belasten. Allerdings liegen wir da unter 1nF, könnte also unkritisch sein.
Bei dieser H-Bridge müsste es Pin A=G1+G2 und Pin B=G3+G4 sein, da die High-Side aus P-Kanal MOSFETs aufgebaut ist. Einen kleinen Delay beim Schalten und dann sollte das klappen, denke ich.
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