Hallo, ich muss ein Sinussignal mit 400-800Hz, 5Vss (mit 2,5V DC)auf etwa 12Vss (ohne DC-Anteil)verstärken und der Ausgang der Stufe soll nachher einen Strom von von etwa 3A liefern können. Meine Frage lautet nun, ist es Sinnvoll das über eine Gegentaktendstufe zu lösen oder gibt es eine noch einfachere Lösung. Das Signal wird nachher auf einen Trafo gegeben und hochtransformiert, es handelt sich also um eine induktive Last. Ich habe nur eine Betriebsspannung +12V zur Verfügung. Gruß Helmut
@ Helmut F. (Gast) >Sinnvoll das über eine Gegentaktendstufe zu lösen AFAIK ja. > oder gibt es eine noch einfachere Lösung. Man könnte einen integrierten Adioverstärker nehmen. >hochtransformiert, es handelt sich also um eine induktive Last. Ich habe >nur eine Betriebsspannung +12V zur Verfügung. Dann brauchst du eine H-Brücke bzw. zwei Kanäle, die 180 Grad phasenversetzt arbeiten. Dann ist dein Ausgang aber nicht mehr massebezogen. Für den Trafo sollte das aber kein Problem sein. MfG Falk
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Hallo nochmal, ich habe jetzt ein wenig mit einer Gegentaktendstufe rumgespielt und habe eine mit vorhandenen Transistoren aufgebaut. Zum Einsatz kamen BD435 samt Komplementätyp, Dioden 1N4001 und als Widerstände R1 und R2 jeweils 680Ohm. +UBetr=12V; -UBetr=GND Es wäre nett wenn ihr meine folgenden Aussagen überprüfen könntet, ob das was ich mir gedacht habe stimmt. Baue ich die Schaltung wie oben beschrieben auf, schneidet mir die Schaltung ein großes Eingangssignal(Sinus) bei 2,9Vs (bei 8Ohm ohmscher Last) ab. Grund hierfür ist der Stromverstärkungsfaktor des Transistors, oder? Mit den Widerständen R1 und R2 stelle ich den maximal zulässigen Eingangsstrom der Transistoren ein, in meinem Fall etwa 8mA. Wenn ich den zulässigen Eingangsstrom der Transistoren erhöhe, belaste ich meine Signalquelle mehr. Würd mich über ne Antwort freuen. Vielen Dank schonmal auch an Falk für die vorherige Antwort. Gruß HF
Hallo Zusammen, will nicht aufdringlich werden, sorry. Stimmt die Annahme, dass es an den hfe Parameter der Transistoren liegt? Wenn ja, würde ich passende bestellen. Es ist immer so ärgerlich, wenn man bestellt und nachher doch was anderes braucht. Ich danke euch. Gruß HF
> Man könnte einen integrierten Adioverstärker nehmen. Z. B. könnte ein TDA2005 in Brückenschaltung knapp reichen.
Hallo nochmal, ich hab die Gegentaktendstufe fertig und es klappt alles hervorragend. Die Schaltung arbeitet mit BD675 / 676. Jetzt hab ich mir die Temperatur während des Betriebs angeschaut und die Transistoren werden um die 80°C warm. Meine Sorge ist aber nun etwas was ich noch nicht absehen kann. Die Schaltung kommt nachher in ein Kunststoffgehäuse. Was passiert denn dann? Habt ihr damit Erfahrungen, oder muss man jetzt einen gewissen Platz auf der Platine freilassen um später ggf. einen Kühlkörper zu benutzen? Ab wann verwendet man eigentlich Kühlkörper? Erst wenn die Operating Temp. des Bauteils überschritten wird, oder bei 80% der Temperatur, ... Gibt es hier irgendwelche Richtwerte die man beachten sollte. Würde mich über eine Antwort freuen. Gruß HF
Helmut F. schrieb: > Jetzt hab ich mir die Temperatur während des Betriebs angeschaut und die > > Transistoren werden um die 80°C warm. Haben die Transistoren einen oder zwei Kühlkörper? Und wen ja, welchen Wärmewiderstand (in K/W) hat dieser/diese?
Ja. die Transistoren sollten so kuehl haben wie moeglich. Denn nur dann kann man von einem stabilen Betriebspunkt ausgehen. Wieviel leistung wird denn verbraten? Ab eine gewissen Leistung sollte man auf ein Metallgehause gehen.
Helmut F. schrieb: > Hallo Andrew, > > ich habe jetzt noch garkeinen Kühlkörper dran. > > Gruß > HF Mußt Du aber dranmachen .-) Ja dann mach da einfach an jeden Deiner Transistoren einen 10Kk/W Kühlkörper dran.
Hallo Ziff, etwa 14W im Extremfall. Ich hab etwa 7Vrms und im Extremfall fließen etwa 2A. Gruß HF
Andrew Taylor schrieb: > Mußt Du aber dranmachen .-) > > Ja dann mach da einfach an jeden Deiner Transistoren einen 10Kk/W > Kühlkörper dran. Dank dir. Ich hab so Finkerkühlkörper gefunden. Die haben 27K/W. Dann müssen die ja reichen. Kannst du mir sagen ab wann sowas ein MUSS ist. So wie Ziff schreibt hängt es ja von der Leistung ab. Gibt es da Erfahrungswerte die ihr mit mir teilen könnt/würdet? Achso, die 14W werden nur kurzzeitig erreicht. Ich danke euch schonmal. Gruß HF
7Vrms ? Rund 20V Upp. Das schafft man aber nicht mit 12V Betriebsspannung. Oder hast Du 'ne Brücke gebaut? Die 14W sind aber nicht die Leistung, die die Transistoren verheizen, sondern gehen erstmal in die Last. Je nach Aussteuerung (verglichen mit der theoretisch max. Aussteuerung einer Gegentaktendstufe) liegen die Verluste aber in derselben Größenordnung. Da muß man die Verlustleistung ausrechnen, und zusammen mit der max. gewünschten Temperaturdifferent Transistorsperrschicht zu Umgebung haste dann den nötigen Wärmewiderstand (den maximalen). Wenn dein Transistor aber wirklich nur 80°C ohne KK hat, dann ist er eigentlich noch im gemütlichen Bereich, also mehr als 1W scheint der wohl nicht zu verheizen. Und bei 1W ist die Sperrschicht im Inneren auch nicht viel heiser (nur 3,13°C). Wenn Du aber wirklich 14W an die Last abgibst, dann werden die Transistoren deutlich mehr heizen ...
Hallo Jens, vielen Dank für deine Antwort. Ich habe die RMS Spannung am Ausgang mit dem Oszi gemessen. Ist mit DC Anteil. Wenn ich also 14W an den Transistoren verheizen würde, müsste die Junction Temperatur also etwa 43,82°C wärmer sein als die Umgebung? Das heißt man richtet sich eigentlich nach dieser Rth J/C Angabe und versucht dieser entgegen zu wirken. Wenn man also alle anderen Wärmewiderstände vernachlässigen würde, bräuchte man nur einen Kühlkürper, der diesem Faktor entgegen wirkt, oder? Vielen Dank nochmal. Gruß HF
"entgegenwirken" ist das falsche Wort. Du mußt einfach die Leistung abführen können, ohne daß das Gesamt-Temperaturgefälle von Sperrschicht zur Umgebungsluft zu groß wird, indem der Gesamtwärmewiderstand klein genug bleibt. Das ganze läßt sich analog zur Elektronik berechnen bzw. sich vorstellen. Denn man kann es mit einer Konstantstromquelle gleichsetzen (heizende Sperrschicht - Wärmestrom), die ein paar Reihenwiderstände (Wärmewiderstände) speist. Dies erzeugt ein Spannungsgefälle über die Widerstände (Temperaturgefälle). U = I*R (Elektrik) ΔT = P*θ (Wärme)
OK, es hat zwar etwas gedauert, aber ich glaube ich habs. Betrachtet man im Schaltbild vom BD676 das Diagramm 1, lässt sich dies auch ungefähr nachvollziehen. Ich habe einen RthJ/C von 3,13 K/W. Somit ergibt sich bei 14W Verlustleistung eine Differenzspannung von 43,82°C zwischen Gehäuse und Junction. Die Resultierende Junctiontemperatur liegt also bei 105° Gehäusetemp. bei etwa 148,82°C. Das zeigt auch das Diagramm: Bei 105°C Gehäusetemperatur kann der Transistor nur noch etwa 15W sonst wird die Junction Temperatur überschritten. Gehe ich jetzt von den 148°C Junction Temperatur aus und einer Umgebungstemperatur von 25°C, errechnet sich für den Kühlkörper ein Wert von: Rthk = (148°C-25°C)/14W - 3,13°C/W - Übergang Gehäuse/Kühlkörper Wenn ich den Übergang Gehäuse Kühlkörper weglasse komm ich also auf: 5,66K/W Stimmt das so? Was sind denn gängige Werte für den Übergang? Gruß HF
Jo - scheint zu stimmen. Für den Übergang kann man wohl so um die 0.2-0,3 annehmen, wenn ohne Isolation (nur Wärmeleitpaste). Wenn mit Isolation, dann wohl so eher 0,4 (Silicon) bis 0,8 (Glimmer), was aber auch vom Transistorgehäuse abhängt, wegen der unterschiedlich großen Übergangsfläche.
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