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IGBT als Zündtransistor: Welche Vorteile?
Gast
#1624762
Hallo, wieso eignet sich ein IGBT eigentlich besonders gut als Zündungstransistor im automobilen Bereich? Durch das Gate erfolgt ja eine nahezu leistungslose Ansteuerung, aber warum verwendet man nicht gleich einen MOSFET? Ist der Widerstand (die Verlustleistung) beim Schalten von hohen Strömen/Spannungen bei der bipoleren Strecke (Kollektor-Emitter) geringer als bei z.B. einem n-Kanal FET? lg mille
Gast
#1625093
Hi, ja ich glaube es geht um die angesprochene Kombination aus den Vorteilen: - einerseits leistungslose Ansteuerung - andererseits geringere Verluste beim Schalten... ist ja meines Wissens nach der große Vorteil von ipolaren Transistoren oder? Aber ich habe jetzt auch keine Rdson- bzw. Rceon- Werte im Kopf... Freundliche Grüße
Gast
#1625142
Hi IGBT's haben ihre da ihre Stärken, wo bei sehr hohen Spannungen auch noch Ströme gefragt sind. MOSFET's für hohe Spannung (1KV oder mehr) haven dann hohe RDSon-Werte. gerhard
Gast
#1625144
Kann mir jemand einen Zünd-IGBT empfehlen mit einem möglichst geringem Vce(on) in einem DPAK Gehäuse? Im Moment verwende ich den NGD8201 von ON Semiconductor - habe aber etwas Probleme mit der Wärmeentwicklung und erhoffe mir eine Verbesserung durch geringe Verluste beim Schalten. Angesteuert werde diese mittels einem HCT-Gatter und einem 820R Vorwiderstand sowie einem 470k Gate-Widerstand (parallel zum Gate; soll das Floaten verhindern). Erreiche ich, bedingt durch ein schnelleres Schalten, mit einem kleinen Serienwiderstand und einem größerem Gate-Widerstand eigentlich eine geringere Wärmeentwicklung? lg mille Antwort schreiben |
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