Hi.
Ich wollt mal wissen, ob es möglich ist, Fets in Reihe zu schalten wie
auf meinem Bild.
Der eine Fet ist dafür da, die Spannung ein und aus zu schalten, der
andere Fet ist als "rückfluss-Sperre" eingebaut. Fets haben ja eine
interne Body Diode, so dass bei nur einem Fet an X1 auch im
abgeschalteten Zustand Spannung von X2 anstehen würde.
Die Fets sollen eingeschaltet werden, wenn die Spannung an X1 größer als
9V und und kleiner als 14 V ist. Es soll aber auch keine Spannung von X2
an X1 anstehen, wenn die Fets abgeschaltet sind.
Grüsse
An X1 kommt das Netzteil (Bzw Solarmodul) ran an X2 der Akku.
X3 ist der Steueranschluss.
Zum Laden sollen dann die Fets eingeschaltet werden. Und wenn die
Spannung zu hoch oder zu gering wird, wird abgeschaltet, dabei soll aber
keine Spannung vom Akku auf X1 anstehen.
Die Kontrolle der Spannungen soll ein kleiner Atmel übernehmen. Die
Akkuspannung und die Netzteil/Solarspannung wird über je einen AD
Wandler eingelesen und der Gate Anschluss über den AVR eingeschaltet
wenn die Spannungen im grünen Bereich sind.
Hallo
der P-FET schaltet ein, wenn die gatespannung negativer als die
Source-Spannung ist. So, wie gezeichnet, ist das in sofern
problematisch, als die beiden Source-Anschlüsse im gesperrten Zustand
floaten. Ich nehme an, dass du die FET's mit GND-Level einschalten
willst. dazu benötigen aber die Sourcen dann eine positive Spannung.
Gerhard
Ok, dann müsste ich also noch Widerstände zwischen Drain und Source
machen.
Ein paar 10 kOhm oder so reichen ja aus oder? Wenn ich den Wert zu klein
wähle, habe ich über den Widerstand auch wieder verluste, weil die
Akkuspannung nachts über die Widerstände am Solarmodul ansteht.
Gibts eigentlich auch Fets ohne eingebaute Body Diode? Dann bräuchte ich
ja nur einen, da ja im ausgeschalteten Zustand kein Strom zurückfließen
könnte.
Bastler schrieb:
> So hab mal die Anschlüsse am FET geändert.> Jetzt hat der Source kein Floating Potetial mehr. Also so sollte es> gehen oder?
Lass dich nicht bequatschen. So wie du es im ersten Bild hattest war es
schon okay. Da floatet nix beliebig, die Body-Dioden verhindern das bzw.
begrenzen den Bereich in dem es floaten kann - und der ist unkritisch.
Evtl. zusätzlich noch einen hochohmigen Widerstand spendieren (1Meg oder
mehr) - muss aber nicht.
Was passiert eigentlich bei dem Fet der "Verkehrt herum" im Stromfluss
liegt?
Geht bei dem der Strom nur über die Body Diode mit den Verlusten die
durch die Fluss-Spannung auftreten? Oder wird die Body Diode bei
durchgeschaltetem Fet "überbrückt"?
Ich hoffe ihr versteht was ich meine.
Solange der FET durchgesteuert ist, ist es egal wie rum der Strom
fließt. Maßgeblich für das Durchsteuern ist die Gate-Source-Spannung, es
liegt an dir, ob du in allen relevanten Fällen ein sauberes Durchsteuern
des FET's garantieren kannst - dann gibt es keine Probleme.
ich bin mir jedenfalls einig.
Ist der Fet eingeschaltet (Spannung zwischen Gate und Sourceist deutlich
größer als die Threshold Spannung) , so wird die Drain-Source Strecke
niederohmig. Der Strom kann in beide Richtung fließen. Der
Spannungsabfalls über RDSon des Fets ist dann deutlich <500mV. Er fließt
somit nicht über die Body Diode. Im eingeschalteten Zustand ist es also
egal, ob da ne (parasitäre) Body-Diode ist, oder nicht.
So wie Baster(Gast) die Schaltung in seinem ersten Posting dargestellt
hat, funktioniert sie. Hab sie in dieser Form schon in einigen
Serienelektroniken drin. Ok. Nicht mit P-Fets, sondern mit N-Kanal Fets.
Das ändert aber nichts an der prinzipiellen Funktionsweise.
Und auch wie Pothead schon schrieb braucht man sich keine Gedanken über
den 2. Fet machen. Durch dessen Body-Diode stützt sich die Spannung an
dessen Source ab. So dass auch dieser sauber eingeschaltet wird.
Hallo
bleibt aber immer noch die Gatesteuerung. Atmel Ausgang H. z.b. 5V.
Source wegen Bodydiode sagen wir auf 12V => FET leitet.
Atmel Ausgang L => FET leitet.
Gut, dann werd ich die Schaltung mal testweise aufbauen.
Zwischen AVR und Gate müsste ja noch ein Transistor, und ein pullup
widerstand. Über den Transistor kann man dann das Gate nach Masse
ziehen.
Mach einfach mit einem kleinen isolierten DC/DC-Wandler das Gate
floatend. Kann man auch mit Ringkern und ein paar Dioden realisieren.
Der Atmel kann das direkt treiben.
Michael M. schrieb:
> Dennis E. schrieb:>> Doch, theoretisch ist das schon richtig, das ist im in erster Linie>> egal.>> der bodydiode aber nicht...
ppqq schrieb:
> Durch die Body Diode fließt aber kein Strom.
Und selbst wenn! Die Body-Dioden können i.d.R. einiges an Strom tragen.
Hier mal ein willkürlich gewähltes Beispiel:
FDS4435, 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
I_S, Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current, -2.1A
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS4435.pdf
Bastler schrieb:
> Zwischen AVR und Gate müsste ja noch ein Transistor, und ein pullup> widerstand. Über den Transistor kann man dann das Gate nach Masse> ziehen.
Genau. Kannst ja nochmal den Schaltplan hier reinstellen.
bild.png
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