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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Berechnung Step-Up Wandler Drahtlänge?


Autor: Kim S. (Gast)
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Hallo,
irgendwie komme ich mit den Formeln nicht klar, und finde keinen 
Onlinerechner mit dem ich es raffen würde.
Ich habe mir testweise von reichelt einige T 106-26 Eisenpulverring 
gelb/weiß
mit den Daten Spezifikation AL-Wert 93 nH/N² Metalldichte 7,0 g/cm
und 1,2mm Kupferlackdraht gekauft.
Ich möchte nun testweise eine Spannung von 2-3V auf 12 Transformieren

Der Rechner von Schmidt-Walter errechnet mir
Ue_min = 2.0V   Ue_max = 3.0V   Ue = 2.0V
Ua = 13.0V   Ia = 2.0A   f = 32.0kHz
L = 9.74uH  ΔILbei Ue_min = 5.48A
L/H:9.74E-6

Das bedeutet vun ich muss wieviel Draht auf wieviel Kerne aufwickeln?
Vom Gefühl her würde ich zwei Kerne + k.a.10 Windungen schätzen?!?
Doppelte Drahtstärke also 2,4mm?

Autor: Kim S. (Gast)
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hm, also bei 12V komme ich jetzt auf 21V und kann 2x12V 55W Lampen in 
Reihe zu leuchten bringen...

Die Frage der BErechnung bleibt aber...
Vielleicht ist das Beispiel mit dem Testaufbau 2-3V ein wenig extrem, da 
alleine zu viel Spannung unterwegs flöten geht..
Über 7V kahm ich bisslang nicht bei einer 21W Lsampe

Autor: Kim S. (Gast)
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wenn ich die Tabelle richtig verstehe, habe ich erstaunlich! gut 
geschätzt.
Was bedeutet was?

    Ae/mm2      le/mm     Amin/mm2      Wmax/µWs     Bmax/mT     N1

N1 steht vermutlich für Windungen und der Rest?
Wo erfahre ich wie lang der Draht sein muss, damit ich auch einen Kern 
mit anderen Abmessungen verwenden kann?

Autor: avion23 (Gast)
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Die Länge des Drahtes ergibt sich aus der Anzahl der Windungen. Dicke, 
Enge der Wicklungen und Überlappungen machen natürlich auch etwas aus.

Anzahl Windungen errechnet sich aus Al-Wert und gewünschter 
Induktivität.


Wichtig: Der Kern darf nicht in Sättigung geraten! D.h. das Magnetfeld 
darf nicht zu stark werden. Wenn das passiert, kann der Kern die 
Induktivität nicht mehr erhöhen und die Spule wird zur Luftspule. Dann 
kann auch der Strom seeehr schlagartig ansteigen, verbunden mit 
mehrfachen Phasenwechseln der FETs.

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