Schreib/Lese Zyklen beim EEPROM auf was bezogen?

[Yücel A. (yuetzi)]

Hallo Leute!

Im Datenblatt vom EEPROM steht: more than 1million Erase/Write Cycles.

Ist diese Angabe bezogen auf ein Byte oder auf das Bauteil insgesamt? 
Demnach müsste es doch egal sein, ob ich das EEPROM mit einem Byte 
beschreibe oder mit 10k...

Danke für Eure Mühe

[ijijiji (Gast)]

Soweit ich weiß darfst du in das 1. Byte 1 millionen mal schreiben, in 
das 2. 1 million mal schreiben usw.

Also jede Addresse im EEPROM darfst du so oft beschreiben.

[Yücel A. (yuetzi)]

Wie schauts denn aus mit dem Block? Wenn ich das erste Byte in einem 
Block (Page) über eine million male beschreibe, heißt es dann, dass ich 
in das Block garnicht schreiben kann?

[Raimund R. (corvuscorax)]

Auf's Byte.

Da man aber nicht nur einzelne Bytes sondern auch Pages löschen und neu 
beschreiben kann, werden beim letztgenannten möglicherweise Bytes 
gelöscht und neu beschrieben deren Inhalt sich nicht geändert hatte.

Bei uns hatten wir mal einen absichtlich kaputt-geschrieben und er gab 
dann erst nach über 2 Mio. Lösch-/Schreibzyklen den 'Geist' auf, d.h. 
nicht alle Informationen wurden richtig abgespeichert.

[(prx) A. K. (prx)]

Die Möglichkeit, bei EEPROMs nicht nur Bytes sondern auch Blöcke zu 
schreiben, erhöht die maximale Schreibrate. Dauert gleich lang, schreibt 
im gleichen Zyklus mehr Daten. Im Unterschied zu Flash-ROM kann man aber 
auch byteweise schreiben und dann zählt jedes Byte auch wirklich 
einzeln.

[Knut B. (Firma: TravelRec.) (travelrec)]

Die Angabe bezieht sich auf ein Bit. Denn nur ein zuvor gelöschtes ("1") 
Bit, welches mit einer "0" beschrieben wird, verschleißt, da hier 
Elektronen getunnelt werden, die das Floating Gate löchrig machen. Eine 
Speicherzelle, die zuvor 1 war und wieder 1 geschrieben wird, sollte 
länger halten als eine, deren Inhalt ständig wechselt.