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Schreib/Lese Zyklen beim EEPROM auf was bezogen?Hallo Leute! Im Datenblatt vom EEPROM steht: more than 1million Erase/Write Cycles. Ist diese Angabe bezogen auf ein Byte oder auf das Bauteil insgesamt? Demnach müsste es doch egal sein, ob ich das EEPROM mit einem Byte beschreibe oder mit 10k... Danke für Eure Mühe
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Gast
#1685403
Soweit ich weiß darfst du in das 1. Byte 1 millionen mal schreiben, in das 2. 1 million mal schreiben usw. Also jede Addresse im EEPROM darfst du so oft beschreiben. Wie schauts denn aus mit dem Block? Wenn ich das erste Byte in einem Block (Page) über eine million male beschreibe, heißt es dann, dass ich in das Block garnicht schreiben kann? Auf's Byte. Da man aber nicht nur einzelne Bytes sondern auch Pages löschen und neu beschreiben kann, werden beim letztgenannten möglicherweise Bytes gelöscht und neu beschrieben deren Inhalt sich nicht geändert hatte. Bei uns hatten wir mal einen absichtlich kaputt-geschrieben und er gab dann erst nach über 2 Mio. Lösch-/Schreibzyklen den 'Geist' auf, d.h. nicht alle Informationen wurden richtig abgespeichert. Die Möglichkeit, bei EEPROMs nicht nur Bytes sondern auch Blöcke zu schreiben, erhöht die maximale Schreibrate. Dauert gleich lang, schreibt im gleichen Zyklus mehr Daten. Im Unterschied zu Flash-ROM kann man aber auch byteweise schreiben und dann zählt jedes Byte auch wirklich einzeln. Die Angabe bezieht sich auf ein Bit. Denn nur ein zuvor gelöschtes ("1")
Bit, welches mit einer "0" beschrieben wird, verschleißt, da hier
Elektronen getunnelt werden, die das Floating Gate löchrig machen. Eine
Speicherzelle, die zuvor 1 war und wieder 1 geschrieben wird, sollte
länger halten als eine, deren Inhalt ständig wechselt.
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