Hallo zusammen, ich möchte für einen Linear-Schrittmotor eine H-Brücke mit MOSFETs bauen. Die Daten sind 60V und 10A. Nun meine Frage: Als MOSFET hierfür käme ja der IRF530, der hat 100V und 14A, hätte also henügend Reserve. Wenn ich jetzt das Datenblatt mit dem des IRF540 mit 28A vergleiche, fällt mir auf, dass letzterer mit 77 mOhm einen wesentlich geringeren On-Widerstand hat, als der IRF530 mit 160 mOhm, was ja ein wesentlicher Vorteil ist. Lediglich die Schaltzeiten sind bei dem großen etwas länger, aber bei 20kHz dürfte das kein Problem sein. Gibt es sonstige Dinge, die ich übersehen habe, die für den 530 sprechen würden, denn der Preisunterschied ist gerade mal 10 Cent, oder kann ich den 540er vorteilhaft einsetzen. Gibt es sonstige wichtige Kriterien, die für oder gegen einen bestimmten MOSFET sprechen? Bin nur auf den IRF540 gekommen, weil der hier öfter für solche Brücken verwendet wurde, aber vielleicht gibts ja trotzdem viel bessere Alternativen in ähnlicher Preisklasse. Vielen Dank für Eure Hilfe Gruß Andreas
Ich wuerde mal ins DAtenblatt schauen wie die sich in ihrer Gatekapazitaet unterscheiden und wie unterschiedlich die dann angesteuert werden muessen. Es nuetzt nichts wenn der On-Widerstand total klein ist, der Transistor aber eine Ewigkeit braucht um den Arsch hoch zubekommen weil die Teiberschaltung nicht genug Leistung liefert. Olaf
20kHz gehen noch, können aber auch recht schnell problematisch werden. Schau dir mal den IRFB4710 an. Der hat nur 15mOhm und die Gatekapazität geht noch einigermasen. Olaf hat recht. Ich habe hier eine Anwendung mit 16kHz PWM und einem Strom von bis zu 24A (Dutycycle 50%). In einem IRF1405 mit 5mOhm Rdson wird wesentlich mehr Verlustleistung verbraten wie beim dem oben genannten IRFB4710. Steffen
Habe mich auch mit diesem Thema befasst,aber nur in der Theorie: 1.Gatekapazität und entsprechende Gateladung:durch moderne Trieber IC (z.B.IR2110 oder ähnliche) dürfte das kein Problem sein. 2.RDSon ...desto weniger desto besser.. 3.ein kritischer Punkt scheint die parastäre Drain-Source Reversediode zu sein,desto mehr Spannung der Fet verträgt,desto langsamer wird sie.Das kann in H-Brücken Schaltungen zu Kurzschlüssen führen. Hier sind die Experten gefragt,die Erfahrungen haben. Grüsse an alle Arno
Ja, dass die Schaltzeiten nicht nur die Geschwindigkeit begrenzen, sondern auch zur Verlustleistung beitragen hatte ich jetzt noch nicht wirklich bedacht. Aber dann ich ja unter meinen Bedingungen ausrechnen, welcher MOSFET sich besser eignet. Ich denke schon, dass ich Brücken, oder halbbrückentreiber einsetzten werde, vor allem wegen der hardwaremäßigen Verzögerung zwischen den beiden Brückenzweigen. Danke für eure Hilfe
google nach "open source motor control" bzw. osmc bringt vielleicht ein paar nützliche informationen
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