MOSFET-Auswahl

Andreas Wiese Gast #129204
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Hallo zusammen,

ich möchte für einen Linear-Schrittmotor eine H-Brücke mit MOSFETs
bauen. Die Daten sind 60V und 10A.
Nun meine Frage: Als MOSFET hierfür käme ja der IRF530, der hat 100V
und 14A, hätte also henügend Reserve.
Wenn ich jetzt das Datenblatt mit dem des IRF540 mit 28A vergleiche,
fällt mir auf, dass letzterer mit 77 mOhm einen wesentlich geringeren
On-Widerstand hat, als der IRF530 mit 160 mOhm, was ja ein wesentlicher
Vorteil ist.
Lediglich die Schaltzeiten sind bei dem großen etwas länger, aber bei
20kHz dürfte das kein Problem sein.
Gibt es sonstige Dinge, die ich übersehen habe, die für den 530
sprechen würden, denn der Preisunterschied ist gerade mal 10 Cent, oder
kann ich den 540er vorteilhaft einsetzen.
Gibt es sonstige wichtige Kriterien, die für oder gegen einen
bestimmten MOSFET sprechen? Bin nur auf den IRF540 gekommen, weil der
hier öfter für solche Brücken verwendet wurde, aber vielleicht gibts ja
trotzdem viel bessere Alternativen in ähnlicher Preisklasse.

Vielen Dank für Eure Hilfe

Gruß
Andreas
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Olaf Gast #129205
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Ich wuerde mal ins DAtenblatt schauen wie die sich in ihrer
Gatekapazitaet unterscheiden und wie unterschiedlich die dann
angesteuert werden muessen. Es nuetzt nichts wenn der On-Widerstand
total klein ist, der Transistor aber eine Ewigkeit braucht um den Arsch
hoch zubekommen weil die Teiberschaltung nicht genug Leistung liefert.

Olaf
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Steffen Gast #129206
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20kHz gehen noch, können aber auch recht schnell problematisch werden.

Schau dir mal den IRFB4710 an. Der hat nur 15mOhm und die Gatekapazität
geht noch einigermasen.

Olaf hat recht. Ich habe hier eine Anwendung mit 16kHz PWM und einem
Strom von bis zu 24A (Dutycycle 50%). In einem IRF1405 mit 5mOhm Rdson
wird wesentlich mehr Verlustleistung verbraten wie beim dem oben
genannten IRFB4710.

Steffen
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Arno Gast #129207
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Habe mich auch mit diesem Thema befasst,aber nur in der Theorie:
1.Gatekapazität und entsprechende Gateladung:durch moderne Trieber IC
  (z.B.IR2110 oder ähnliche) dürfte das kein Problem sein.
2.RDSon  ...desto weniger desto besser..
3.ein kritischer Punkt scheint die parastäre Drain-Source Reversediode
  zu sein,desto mehr Spannung der Fet verträgt,desto langsamer wird
  sie.Das kann in H-Brücken Schaltungen zu Kurzschlüssen führen.
Hier sind die Experten gefragt,die Erfahrungen haben.
Grüsse an alle
Arno
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Andreas Wiese Gast #129208
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Ja, dass die Schaltzeiten nicht nur die Geschwindigkeit begrenzen,
sondern auch zur Verlustleistung beitragen hatte ich jetzt noch nicht
wirklich bedacht.
Aber dann ich ja unter meinen Bedingungen ausrechnen, welcher MOSFET
sich besser eignet. Ich denke schon, dass ich Brücken, oder
halbbrückentreiber einsetzten werde, vor allem wegen der
hardwaremäßigen Verzögerung zwischen den beiden Brückenzweigen.

Danke für eure Hilfe
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