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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Datenblatt verstehen


Autor: Gerhard (Gast)
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Also ich habe mir gerade das Datenblatt des IRF1404 angesehen. Und was 
ich da lese lässt mich doch zweifeln....

Ein einziger FET soll im TO220 Gehäuse einen Strom von 202A aushalten 
können und 333W verheizen?

Das kann ja wohl nicht ernst gemeint sein. Die 333W zählen zwar nur für 
25°C, wenn man die Erwärmung mit berücksichtigt werden also nur noch die 
hälfte wirklich machbar sein ohne den FET zu zerstören. Das sind aber 
immer noch über 150W.

Außerdem verlegt man bei Strömen um die 200A ja Kabel mit 
Riesenquerschnitten. Und die dünnen Anschlussbeinchen sollen diese 
Ströme verkraften?

Sind diese Werte wirklich realistisch?

Autor: Düsendieb (Gast)
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Da steht aber so eine kleine 6 im Kringel daneben:


Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 75A.

Autor: Comanche (Gast)
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Da steht aber als bemerkung unter 6:

"Calculated continuous current based on maximum allowable junction 
temperature. Package limitation current is 75A"

Denke mal das hat sich nen Marketing-Fuzzi ausgedacht, dass da so 
protzig hinzuklatschen...

Autor: Andreas R. (rebirama)
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Marketing-Fuzzi-Gewäsch ist das nicht, nur für den Laien etwas 
missverständlich und führen bei diesen zwangsläufig zu Aussagen wie 
"Boah, 202 A, die gehn da ja nie durch".

Die "202 A"-Angabe sind nicht wörtlich as 202 A gemeint, sondern als 
unter definierten Bedingungen (Tc=25°C) ermittelter Benchmark-Wert 
(unter Vielen). Ähnlich einem CPU-Benchmark, welches auch nichts mit der 
Praxis zutun hat, aber CPUs untereinander vergleichbar(-er) macht.

Im Grunde verrechnet der Benchmarkwert die Größen
1) Rdson(Tmax), der deutlich höher als bei 25°C ist
2) Rth_J-C
2) Tj_max
Bei der Angabe lässt sich vom Hersteller wenig schönrechnen und eignet 
sich deshalb zum Vergleich.

Für viele Designs ist dieser Benchmarkwert aber wenig nützlich (z.B. bei 
schlechter kühlung, oder hohen Schaltfrequenzen) und man vergleicht dann 
nach anderen Kriterien (Rdson, Q_miller, ...)

Autor: Jens G. (jensig)
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Die max. Amperes beziehen sich erstmal nur auf den Chip selber - in der 
Regel entspricht er einem Strom, bei dem soviel Verlust entsteht, daß 
wir bei Ptot sind bei idealem KK.
Allerdings hat die Ptot-Angabe im Datasheet nichts mehr mit der Realität 
zu tun, denn die unterscheiden offensichtlich bei den thermischen 
Widerständen zw. Junction to case, und case to sink. Hier wird also 
Ptoto offensichtlich auf das halbe K/W für Junction to case bezogen (was 
eigentlich auch üblich ist), aber zusammen mit dem Case to Sink Wert 
verdoppelt sich der Wert schonmal, also wird Ptot für diesen Fall eher 
bei 160W liegen, und der max. Strom bei 100A vielleicht (ist überhaupt 
komisch, daß Case to Sink extra angegeben wird  - das hängt doch 
sicherlich von mehreren Faktoren ab).

Autor: Raimund Rabe (corvuscorax)
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Jens G. hat schon fast alles gesagt, aber ich möchte noch folgendes 
hinzufügen:

Mit diesen utopisch anmutenden Werten, werden häufig die Werte des Die's 
angegeben, der aufgrund von möglichen Postfixes in der Typenbezeihnung 
mal in ein TO-220-Gehäuse, oder auch mal in ein TO-247-Gehäuse verbaut 
wird.
Das allerdings ein TO-220-Gehäuse 160W 'wegschaffen' soll halte ich auch 
noch für ein Gerücht, das schafft schon eher das TO-247-Gehäuse, wg. der 
größeren Auflagefläche zum Kühlkörper. Über ein TO-220-Gehäuse würde ich 
nicht mehr als 60...80W pro Transistor 'verbraten' lassen - ansonsten 
wird es dem Die wohl oder übel ein wenig zu warm.

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