Hallo! bei Kennlinienfeldern von bipolartransistoren sieht man oft die "Ptot" eingezeichnen (beispiel: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/de/9/9f/Transistor-Arbeitsbereich.png). Sieht dies beim Mosfet ähnlich aus? oder kann man bei Mosfets keine solche Kennlinie einzeichnen? Ich interessiere mich im deitail für Mosfets als schalter. Kann ich die Schalteigenschaften mit denen eines Bipolartransistors vergleichen? (Klar, ein mosfet hat zum beispiel den vorteil leistungsfrei schalten zu können. Aber ich meine im bezug auf belastugen, [vgl hier grafiken hier: http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm]. Danke vielmals!
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Mosfets sind weniger universell, entweder sie sind für den Analog- oder den Schaltbetrieb optimiert (was auch sinnvoll ist). Bei für Analogbetrieb ausgelegten Transistoren ist diese Kurve im Datenblatt vorhanden. Schaltmosfets dagegen vertragen im Analogbetrieb nur einen Bruchteil der im Datenblatt stehenden Werte des angegebenen Stromes. Dort hat auch das Aufführen der Leistungskurve keinen Sinn.
Ok, danke. Grundsätzlich stimmen die Strom und Spannugsverläufe in den graphen (http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm) aber schon oder? Also ich meine, dass zum beispiel beim ausschalten von induktiven lasten große leistungen am transistor abfallen, genauso wie beim einschalten von kapazitiven lasten. was hat es mit den kapazitäten auf sich? (http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/1/1b/MOSFET-kapazit%C3%A4ten.svg). Was sind gegenmaßnahmen? kann ich speed-up kondensatoren wie bei bipolartransistoren verbauen?
Die Kennlinien sind vergleichbar, nur das statt Ib dann Ugs an dessen Stelle ist. Bei höheren Frequenzen ist die Ansteuerung durch die Eingangskapazität dann nicht mehr leistungslos, weil dann größere Ströme zum schnellen laden und entladen dieser Kapazität fließen müssen. Deshalb wird dann ein Treiber zum Ansteuern benutzt, der diese Ströme liefern kann.
> Sieht dies beim Mosfet ähnlich aus? oder kann man bei Mosfets keine > solche Kennlinie einzeichnen? Du kannst die Ptot-Hyperbel in das I(U)- oder U(I)-Diagramm von jedem Bauteil einzeichnen, also auch von Widerständen, Dioden, Thyristoren, Mosfets und was immer du lustig bist. Da Mosfets für Schaltbetrieb (das sind die meisten) in eingeschaltetem Zustand im ohmschen Bereich betrieben werden, interessiert aber von der Ptot-Kurve eigentlich nur ein einziger Punkt, nämlich der Schnittpunkt mit der RDSon-Geraden. Der Rest der Kurve ist relativ uninteressant. Interessanter sind die Zeitintervalle während der Schaltvorgänge, wo der Mosfet kurzzeitig den Abschnürbereich durchläuft und eine wesentlich höhere Verlustleistung als im Ein-Zustand verkraften muss. Dafür gibt es in den meisten Datenblättern ein Diagramm namens "Maximum Safe Operating Area (SOA)", in dem für verschiedene Zeitdauern (z.B. 10µs, 100µs usw.) der Bereich dargestellt ist, in dem UDS und ID liegen dürfen, ohne dass der Mosfet Schaden nimmt. > Ich interessiere mich im deitail für Mosfets als schalter. Kann ich > die Schalteigenschaften mit denen eines Bipolartransistors > vergleichen? (Klar, ein mosfet hat zum beispiel den vorteil > leistungsfrei schalten zu können. Aber ich meine im bezug auf > belastugen, Der Mosfet hat noch ein paar weitere Vorteile: Der Spannungsabfall ist bei ausreichender Dimensionierung kleiner als beim BJT, und er weist keine Sättigungseffekte auf. Beides wirkt sich vorteilhaft auf die Verlustleistung aus. In Schaltanwendungen ist deswegen bei Schaltspan- nungen bis zu wenigen 100V der Mosfet fast immer dem BJT vorzuziehen, darüber werden wegen ihrer höheren Spannungsfestigkeit IGBTs interes- sant. > [vgl hier grafiken hier: > http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm]. Die Grafiken lassen sich sinngemäß auch auf Mosfets übertragen. > Grundsätzlich stimmen die Strom und Spannugsverläufe in den graphen > (http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm) aber schon > oder? Also ich meine, dass zum beispiel beim ausschalten von > induktiven lasten große leistungen am transistor abfallen, genauso wie > beim einschalten von kapazitiven lasten. Ja.
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