> Sieht dies beim Mosfet ähnlich aus? oder kann man bei Mosfets keine
> solche Kennlinie einzeichnen?
Du kannst die Ptot-Hyperbel in das I(U)- oder U(I)-Diagramm von jedem
Bauteil einzeichnen, also auch von Widerständen, Dioden, Thyristoren,
Mosfets und was immer du lustig bist.
Da Mosfets für Schaltbetrieb (das sind die meisten) in eingeschaltetem
Zustand im ohmschen Bereich betrieben werden, interessiert aber von der
Ptot-Kurve eigentlich nur ein einziger Punkt, nämlich der Schnittpunkt
mit der RDSon-Geraden. Der Rest der Kurve ist relativ uninteressant.
Interessanter sind die Zeitintervalle während der Schaltvorgänge, wo der
Mosfet kurzzeitig den Abschnürbereich durchläuft und eine wesentlich
höhere Verlustleistung als im Ein-Zustand verkraften muss. Dafür gibt es
in den meisten Datenblättern ein Diagramm namens "Maximum Safe Operating
Area (SOA)", in dem für verschiedene Zeitdauern (z.B. 10µs, 100µs usw.)
der Bereich dargestellt ist, in dem UDS und ID liegen dürfen, ohne dass
der Mosfet Schaden nimmt.
> Ich interessiere mich im deitail für Mosfets als schalter. Kann ich
> die Schalteigenschaften mit denen eines Bipolartransistors
> vergleichen? (Klar, ein mosfet hat zum beispiel den vorteil
> leistungsfrei schalten zu können. Aber ich meine im bezug auf
> belastugen,
Der Mosfet hat noch ein paar weitere Vorteile: Der Spannungsabfall ist
bei ausreichender Dimensionierung kleiner als beim BJT, und er weist
keine Sättigungseffekte auf. Beides wirkt sich vorteilhaft auf die
Verlustleistung aus. In Schaltanwendungen ist deswegen bei Schaltspan-
nungen bis zu wenigen 100V der Mosfet fast immer dem BJT vorzuziehen,
darüber werden wegen ihrer höheren Spannungsfestigkeit IGBTs interes-
sant.
> [vgl hier grafiken hier:
> http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm].
Die Grafiken lassen sich sinngemäß auch auf Mosfets übertragen.
> Grundsätzlich stimmen die Strom und Spannugsverläufe in den graphen
> (http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm) aber schon
> oder? Also ich meine, dass zum beispiel beim ausschalten von
> induktiven lasten große leistungen am transistor abfallen, genauso wie
> beim einschalten von kapazitiven lasten.
Ja.
