Gast
#1778051
Hallo. Ich frag mich, wie man das am Besten macht. Es gibt ja die Mosfets der IRFxxx Reihe, die sehr preisgünstig sind und dabei relativ große Ströme schalten können. Der IRF1404 kann z.B. laut Datenblatt bis zu 202 A, bei einer maximalen Verlustleistung von über 300 Watt. Mir ist klar, das sind die Spitzenwerte, aber ist das trotzdem für ein TO220AB Gehäuse nicht etwas viel? Die Anschlussdrähte eines TO220AB Gehäuse sind wohl irgendwo im Bereich 1-2 mm². Das ist ja dann eine gewaltige Stromdichte in den Anschlußdrähten. Und ob man über die relativ kleine Kühlfläche eines TO220AB über 300 Watt abgeführt bekommt, ich weiß nicht so recht. Klar, das sind nur maximalwerte, aber selbst wenn man den Mosfet dann nur mit ca 1/4 belastet, während das immerhin noch ca 50 A, was meiner Meinung nach immer noch recht viel ist für die dünnen Anschlussbeine. Die TO220AB Gehäuse sind auch für das Einlöten in einer Platine gemacht. Diese hohen Ströme muss man dann auch noch über eine Leiterplatte schaffen. Selbst wenn man dann noch Drähte auf die Leiterbahnen auflötet, ist das noch sehr viel Strom für diese Konstruktion. Wenn ich mir überlege, dass für 50 A in der Elektroinstallation Drahtstärken von 6-10 mm² verwendet werden. Und ein 6mm² Draht an TO220AB Beinchen anlöten wird wohl nicht klappen. Praktisch wird man also wohl nicht mehr als ca 25-30A mit TO220AB und Platine schaffen denk ich mal, und man muss entsprechend viele Mosfets nehmen, und eine Leistungsplatine machen, wo dann die Leiterbahnen entsprechend breit sind, wo sie schon mehr Kupferflächen als Leiterbahnen sind. Und das dann noch durch aufgelötete Kupferdrähte verstärkt.