Hallo, kommt es bei einem schnellen Einschaltvorgang tatsächlich aufgrund einer Umladung der Gate-Kollektor-Kapazität zu einer induktiven Überspannung am Gate? Mich interessiert vorallem wie sich die parasitäre Induktivität der Gatezuleitung auswirkt und wie man sie bestimmen kann. Gruß
@sportler (Gast) >kommt es bei einem schnellen Einschaltvorgang tatsächlich aufgrund einer >Umladung der Gate-Kollektor-Kapazität zu einer induktiven Überspannung >am Gate? Nöö, das geht so schon mal rein prinzipiell nicht, denn eine Kapazität induziert keine Spannungen ;-) >Mich interessiert vorallem wie sich die parasitäre Induktivität der >Gatezuleitung auswirkt und wie man sie bestimmen kann. Siehe Treiber. MfG Falk
Vllt. habe ich mich nicht deutlich genug ausgedrückt. Beim Einschaltvorgang wird die Gate-Kollektor-Kapazität umgeladen wodurch ein Strom Richtung Treiber fließt. Dieser Strom fließt über die parasitäre Induktivität der Gate-Zuleitung, wodurch dann eine Spannung induziert wird. Diese addiert sich zu der bereits bestehenden Spannung des Treibers, wodurch es zu einer Spannungserhöhung am Gate kommt. Ist das so weit korrekt? Hier das erweiterte Ersatzschaltbild eines IGBTs, wo auch die Gate-Kollektor-Kapazität mit drin ist. http://mkdoc.de/wiki/Bild:IGBT-Ersatzschaltbild.png Mit geht es hier auch nicht um irgendwelche induktivitäten im Lastkreis, sondern nur um die Auswirkung der parasitären Gate-Zuleitungsinduktivität. MfG
Wenn du die Induktivität bestimmen kannst, kannst du es doch rechnen oder simulieren?
Hat sich schon erledigt. Verhält sich genauso wie ich beschrieben habe;) http://www.semikron.com/skcompub/de/SID-B801F4F1-80A190A0/deu_3_6_2.pdf Seite 203 ganz oben. Genau das was ich wissen wollte. Trotzdem danke für die Hilfe!
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