Elektronische Last (4x) 100A

Der am besten leitende FET nimmt die meiste Last. Ich würde mal
probieren, 50 bis 100 mOhm in den Drainpfad zu legen. Ähnlich wie bei
den Audioendstufen, die mit mehreren "parallel" geschalteten
Transistoren arbeiten.
Michael

@Michael

Ich glaube nicht, dass das reichen wuerde..
jedes fet muss einzelnd angesteuert werden

doch, das reicht, wenn richtig bemessen. Allerdings nicht im Drain-
sondern im Sourcekreis. Damit ergibt sich eine Gegenkopplung, die
wirksame Ugs verringert sich, wenn der Transistor mehr Strom führt.
Schon eine sternförmige Source-Verdrahtung kann ausreichend sein.
Natürlich sollten die FETs auch ausgemessen sein, Sicherheitsreserve
beim Strom lassen, Verlustleistung muss natürlich auch entsprechend
abgeführt werden.

was heisst FETs ausgemessen??

sprich dem FET angepasste widerstaende??

nö, es sollte bei gleicher Gatespannung in etwa gleicher Drainstrom
fliessen, min. 1-Punkt-Messung, als Beispiel 3V Gatespannung, der
Drainstrom sollte sich dann bei allen Transistoren im Bereich 0,8-1,2A
bewegen. Ausrutscher nach oben (sind gefährdet, als erste durchzugehen)
und nach unten (übernehmen in der Endschaltung weniger Strom, belasten
also die anderen mehr) sind auszusortieren.
Besser noch ein 2-Punkt-Messung, berücksichtigt dann noch die
individuelle  Steilheit. Relativ aufwändig das Ganze. Man kann es noch
weiter treiben und die gesamte Kennlinie aufnehmen und dann die am
passendsten Typen verwenden.

Die Source-Widerstände würde ich auch ein wenig größer machen (1 Ohm,
abhängig von den Eckdaten). Die Leistung muß ja eh verbraten werden und
je größer die Gegenkopplung und damit Stromverteilung, desto stabiler
ist die Schaltung.

Was sind das für MOSFETs? Wieviel Verlustleistung und wieviel Strom
können die denn? Ich benutze fast dieselbe Endstufe mit 10 mal FDP7045L
und schalte damit 450A problemlos.

42BUZ11 fuer100A

dann dürfte da ja gar nichts passieren, sind ja gerade mal etwas mehr
als 2A für jeden.
Da ist was anderes faul.
Verlustleistung?
Schwingneigung?

Hallo,

denke auch das die Gatespannung zu schnell schwingt.Habe auch schon ein
paar Versuche mit PWM gemacht und wenn die Frequenz zu hoch eingestellt
war steuerten die Dinger nie voll durch, hatte das auch schon mit einem
IFR540 und BUZ11 sobald die Frequenz runtergesetzt wurde lief es
einwandfrei. Also 100A für 42 BUZ11 ist echt überdimensioniert. Schaut
euch mal die Gatespannung mit dem Oszi an. Es könnte auch helfen die
Gatespannung zu erhöhen damit man immer einen schaltenden Betrieb der
FETs hat.

wenn es ums schalten geht ja aber auch wenn man die als verbraucher
nutzt???
2 mal 24V = 48W 48W = Ptot

Also erstmal sollte man unterscheiden zwischen Schalt- und
Linearbetrieb. Als Schalter lassen sich MOSFETs problemlos
parallelschalten, weil MOSFETs bei hohen Leistungen einen negativen
Temperaturkoeffizienten besitzen. Im Linearbetrieb hingegen nicht! Da
ist es genau umgekehrt: bei niedrigen Leistungen haben FETs einen
positiven Temperaturkoeffizienten. Hier gilt das selbe wie bei
bipolaren Transistoren: jeder Transistor braucht einen Widerstand
zwischen Source und GND.

Evtl. könnte man damit durchkommen, wenn man die MOSFETs selektiert und
wenn alle FETs in sehr gutem thermischen Kontakt sind ...

Hallo,

als was sollte denn genau gebaut werden. Schalt- oder Linearbetrieb?

Hallo!

Marko B hat schon recht, Linearbetrieb bei Trenchfets ist eigentlich
nicht zulässig. der Strom muß über dem Kompensationspunkt liegen, und
der liegt meistens recht hoch. Unterhalb laufen die einzelnen
MOSFET-Zellen auseinander, und dann...

Also entweder Uralte FETs mit ausrechend großen Zellen, und
entsprechend viele Parallel + Symmetrierung, vielleicht gehen aber auch
die neuen von Philips (glaub ich, LinFET oder so) , die in Richtung
Linearbetrieb gezüchtet wurden.

Wenn du's nicht glaubst, frag bei Vishay/Siliconix nach, ob sie dir
einen FET für Linearbetieb verkaufen wollen.

servus,
Martin

Das Problem liegt darin die Gesamtverlustleistung gleichmäßig auf die
einzelnen FETs aufzuteilen, d.h. jeder der n-FETs muß 1/n des
Gesamtstromes tragen. Dies erreicht man dadurch, daß nicht die
einzelnen FETs, sondern n-Stromsenken parallelgeschaltet werden, bei
denen die Einzelströme über (niederohmige) Shuntwiderstände gemessen
werden und die Gatespannungen der FETs dementsprechend geregelt werden.
Angesteuert werden diese Stromsenken dann über eine Steuerspannung (z.B.
0.2V pro A). Ich habe auf diese Weise eine elektronische Last aufgebaut
mit Pmax=1000W und Imax=20A, bestehend aus 24 parallelgeschalteten
Stromsenken.

Gruß Jerome

Neues =)

Siurce Widerstand von 1,5Ohm eingebaut leider faenngt die ganze
schaltung ab 20A an zu schwinngen.

den 1K widerstand fuer das Gate habe ich schon ueberbrueckt (vorher
fing es bei 10A an zu schwinngen.

was koennte das sein?

Hallo,

wie hoch ist deine Spannung am Gate? Evtl. noch einen Wiederstand zw.
Gate und Masse reinmachen damit das Gate beim ausschalten der
Gatespannung auch wieder vollständig entladen wird.