Hallo,
man findet zwar reichlich über Röhrenverstärker, aber ich habe auf die
Schnelle nichts zu Transistor - Verstärkern in hohen Spannungsbereichen
gefunden. Aber es dürfte kein Problem sein selbst 1000V Amplitude zu
erzeugen. Geh mal auf 100V herunter, da findest Du reichlich Beispiele.
Der Ansatz: Brückenverstärker in AB - Betrieb UB +500V - 500V. In der
Brücke werden daraus 1000V. Mit den oben genannten IGBT 1200V liesse
sich dass machen. Wenn es wirklich 1000V sein sollen, so müsste man mit
höherer Spannung arbeiten. 1000V * 1,414 = 1414V U(Spitze). Dazu noch
ein gewisser Spannungsabfall an Drain/Source, mindestens 10%, eher 20%,
also ca. 280V. Insgesamt also ca. 1700V. Bei AB-Betrieb in der Brücke
werden daraus UB + 850V und - 850V. Die IGBT oder MOSFET sehen aber
1700V! Um sicher zu gehen würde ich zwei IGBT mit 1200V kaskadieren.
Gut, 2 x 1000V würde auch genügen. Dann kämen auch MOSFETS in Frage. Die
Spannung könnte man per Anodentrafo erzeugen. Ggf. wieder mehrere in
Reihe schalten. Netzgleichrichter müssten auch mindestens 2 x Un also
1700V vertragen. Auch hier könnte man zwei in Reihe schalten.
Ableitwiderstände dabei nicht vergessen damit sich unterschiedliche
Sperrströme nicht negativ auswirken. Für die Elkos sollte man 2 x 450V
Typen in Reihe nehmen. Wegen den Leckströmen ebenfalls mit
Ableitwiderständen. Also alles mit Mitteln von Reichelt realisierbar.
Ich habe mich jetzt nicht z.B. bei DigiKey umgeguckt. Dort findet man
vermutlich Komponnenten die Spannungsfester sind, so dass man auf eine
Kaskade verzichten könnte.
Zur Entwicklung braucht man aber ein Simulationsprogramm wie LTSpice.
Ein Oszi halte ich ebenfalls für notwendig. Hier muss man natürlich
darauf achten dass man an den hohen Spannungen mit Spannungsteilern
arbeitet. Auch sonst ist das Arbeiten an 850V, bzw. bis zu 1700V nichts
für Laien. Aber die Erkenntnis setze ich voraus.
Gruss Klaus.