Hallo, wollte für meine nächste Platine, um einen Motor (ca. 12Volt 40A) zu treiben, die oben genannte Kombination verwenden. Damit die aktuelle Version mit der Freilaufdiode im Bezug auf Verlustleistung verbessert wird. Da die Diode die ca. 8Watt Verlustleistung produziert, werde ich auf Syncronbetrieb wechseln. Das würde ja mit dem genannten Treiber wunderbar gehen, was ich aus dem Datenblatt nur schwer rauslesen kann, ist wie lang die minimal mögliche Totzeit wirklich ist, da es ja sehr wichtig ist, wie ich den Gatevorwiderstand dimensioniere. Ich möchte das ganze auch möglichst knapp errechnen, da ich jetzt schon richtig große EMV Probleme habe und die Mosfets nicht unnötig schnell schalten möchte. Geschalten wird mit 19-20kHz... Aktuell funktioniert alles ganz gut... nur die Verlustleistung wollte ich noch etwas drücken und dazu immer den Highsidefet als Diode betreiben. Was ich bei dem genannten Mosfet auch noch nicht verstehe: Wieso hat der schon einen 6,8Ohm großen Gatewiderstand integriert? Da muss ich ja erstmal sehen ob bei 330nC die 500ns?! eingehalten werden können. Desweiteren, hab ich eine Spannung an der Eingangsklemmen der Schaltung die überhaupt nicht mehr wie eine 12 Volt Spannung aussieht. Ich denk das kommt durch die Induktivität der Zuleitung, obwohl die schon echt kurz war (60cm). Ich kann ja mal kurz beschreiben was ich dort gesehen habe: Es gab in dem besagten 20kHz Takt Spannungsspitzen von 30-40 Volt und anschließen ein sinusförmiges Ausschwingen, danach eine Spannungseinbruch bis auf 4 Volt... Bis auf das Sinusförmige ausschwingen von ca 2Vss waren es nur kurze Nadeln, aber die haben mir in meinen Versuchen davor immer meinen Gatetreiber gekillt. Aktuell habe ich ein RC Glied vor der Elektronik (µC und Treiber), jetzt funktionierts... wird noch durch ein LC Glied ersetzt, da der Widerstand doch recht viel zu verheitzen hatte... SO richtig versteh ich nicht warum die Spannung so derart schlecht aussieht, da die Freilaufdiode eine Ultraschnelle ist und für solche Anwendungen geeignet sein sollte. Ich hab schon die Sorge das die Verlustleistung gar nicht von der Diode kommt, sondern der Mosfet durch die Spitzen schon als Z-Diode Arbeitet (Avalanche) Vielleicht kann ja jemand Licht ins Dunkel bringen... evtl. hab ich etwas übersehen... Achso, ja ich weiß 20khz sind heftig, aber ich brauch es Geräuschlos... Danke schonmal Mfg Basti
Hier nochmal die Links zu den zwei Datenblättern... Der Halbbrückentreiber http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2184.pdf der Mosfet http://www.alldatasheet.net/datasheet-pdf/pdf/235091/IRF/IRFP4004PBF.html
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