Die 1N4001 und andere HV-Dioden haben PSN-Struktur. (S entspricht
"schwach" dotiert, I entspricht ohne Dotierung, eigenleitend)
Dort steht im Vordergrund, dass mit PSN höhere Sperrspannungen
erreichbar als bei reiner PN-Schicht.
Bei BA244 und andren HF-Schaltdioden hat man ebenfalls PSN-Struktur,
dort ist aber die Zielsetzung im Aufbau nicht die hohe Sperrspannung
sondern die Tatsache dass so ab etwa 30 MHz die Gleichrichterwirkung
aufhört und die Diode als ein durch DC-Strom stellbarer Widerstand für
HF arbeitet.
Wenn man das "S" weitertreibt, bis auf praktisch undotierten Zustand,
erhält man die PIN-Diode. Da sie als Schalter für Höchstfrequenz
vorgesehen ist, wird zusätzlich Aufwand in bezug auf Parallel-C und
Zuleitungs-L getrieben, also ein meist teures HF-Gehäuse verwendet.