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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Infineon IGBT Modell in LTSpice verwenden


Autor: Mark (Gast)
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Hallo!

Ich versuche die 600 und 1200V IGBTs in LTSPice zu verwednen. Ich habe 
folgende Lib heruntergeladen.
http://www.infineon.com/cms/en/product/channel.htm...

Dann ein Symbol genzeichnet mit der Richtigen Pinbelegung. 
(merkwürdigerweise steht in der linb Anode, Kathode und Gate. Ich hab A 
mal als den Kollektor angenommen)


Jedoch kommt folgende Fehlermeldung:
Questionable use of curly braces in "mfet dx g s s mos w= 1.8159541904 
,l= 1.5e-006 ,ic={off}"
    Error: undefined symbol in: "[off]"
Error on line 197 : m:u1:l76xxa:fet u1:l76xxa:dx u1:l76xxa:g u1:l76xxa:s 
u1:l76xxa:s u1:l76xxa:mos w= 1.8159541904 ,l= 1.5e-006 ,ic= (off)
  No such parameter on this device


MFG

Autor: Jockel (Gast)
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Poste mal das Modell (*.lib)!
Für die Pinbelegung des Symbols mußt Du strikt diejenige Reihenfolge 
verwenden, die auch im Modell verwendet wird. Sonst "verschluckt" sich 
das SPICE ;-)

Autor: Mark (Gast)
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.SUBCKT IKW20N60H3_L2 ano gate kat PARAMS: TJ = 27
*
LANO ano anol 5n
RLAN ano anol 100
LKAT katl kat 7n
RLK katl kat 100
XL75xxC anol gate katl L75XXC_L2h3a PARAMS: TJ = {TJ} Atotal = 0.1024 A 
= 0.0713 Rg = 1
XDIO katl anol L4XXXU_L2h3a PARAMS: TJ = {TJ} A_dio=0.021 N_ideal = 1.0
.ENDS
*$

genau so steht auch die netlist order im symbol. Das Model läuft, doch 
sobad der IGBT Spannung ans gate bekommt, wird die Simulation sehr 
langsam, bis eben mit "Timestep" to small abgebrochen wird.
Ist LTSpice zu blöd für dieses Model? Oder sollte man 
Simulationsparameter ändern?
Die Mosfet Model von Infineon funktionieren alle in LTSpice und deken 
sich sehr gut mit meinen Messungen, währe schön wenn das auch bei den 
IGBTs so ist.

MFG

Autor: Jockel (Gast)
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> .SUBCKT IKW20N60H3_L2 ano gate kat PARAMS: TJ = 27

Schau mal im Symbol (*.cmp), ob die Reihenfolge der Anschlüsse mit der 
des Modells übereinstimmt.
Nach dem geposteten Modell muß der erste Pin die Anode, der zweite das 
Gate und der dritte die Kathode sein. Wobei ich die Bez. Anode und 
Kathode für IGBTs irgendwie schwachsinnig finde. Die gehören 
normalerweise zu Dioden (OK, bei Thyristoren heißen sie auch so). Ist 
die Anode der Kollektor und die Kathode der Emitter?
Die PARAMS:-Anweisung finde ich auch etwas fehl am Platze. Sicher, daß 
die da hinkommt?

Autor: Helmut S. (helmuts)
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Also diese Modelle von Infineon die praktisch nur aus endlos langen 
Formeln bestehen sind konvergenzmäßig eine einzige Katastrophe. Die fass 
ich nur mit der Beisszange an. :-)
Wenn andere mal an "deinem" IGBT rumprobieren sollen, dann lad ein 
Beispiel hoch. Freiwillig tut man sich diese Modelle nicht an.

Autor: Mark (Gast)
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Hab einfach mal eine Ohmsche Last geschaltet. File ist angehängt. Ebenso 
das IGBT Symbol.

>Freiwillig tut man sich diese Modelle nicht an.
Kann ich verstehn. So genau brauch ich es eigentlich nicht. Möchte 
einfach die Schaltzeiten der IGBTs in abhängigkweit von Ic dabei haben 
(Beispiel).

Wenn jemand brauchbarere Modelle kennt lasst es mich wissen.

MFG

Autor: Nico (Gast)
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Hallo,

ich bin jetzt auch aufs Problem gestoßen. Hat jemand vielleicht schon 
eine Lösung gefunden?

Vorab vielen Dank!

MFG

Autor: nuts (Gast)
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Mir haben die Zauberworte

.options gmin=1e-10 abstol=1e-10 reltol=0.003 Trtol = 1 cshunt=1e-15

geholfen.

Autor: Klaus Ra. (klara)
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Bei mir hilft es nicht!
mfg klaus

Autor: Helmut S. (helmuts)
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Meine Aussage von 2010 weiter oben gilt immer noch. Diese Formel-Modelle 
von Infineon die praktisch nur aus endlos langen Formeln bestehen sind 
konvergenzmäßig eine einzige Katastrophe. Leider sehe ich bisher wenig 
Ansätze bei Infineon gut konvergierende SPICE-Modelle zu liefern.

Nachtrag:
Immerhin gibt es inzwischen für einige Mosfets VDMOS Modelle in LTspice. 
Die konvergieren sehr gut.

: Bearbeitet durch User

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