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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Substrate Bias Voltage


Autor: Mark (Gast)
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Ich habe hier einen IC (Digitalpoti) rumliegen und da ist von ner 
Substrate Bias Spannung die Rede.

Ich habe ein wenig gegoogelt und bin auf eine Erklärung gestoßen die 
zusammenfassen sagt, dass je negativer die SBV ist, umso weniger Strom 
fließt. 
(http://www.tubeampdoctor.com/newsdesk_info.php?new...)
Stimmt die Aussage so?

Heißt das für das Poti, dass je negativer ich die SBV wähle, umso 
weniger Strom über W/H/L fließt?

Wenn ja, in was für nem Maß beeinflusst die SBV den Strom durch W/H/L?

Autor: Sascha Weber (sascha_w)
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was hat dein Digatalpoti mit Röhren zu tun?
von welchen Typ Digitalpoti sprichst du hier?
was sagt das Datenblatt?

Sascha

Autor: thomas (Gast)
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Das kann man so allgemein nicht beantworten.
Bei p-dotierten Substrat führt die Erhöhung des Substratpotentials zB. 
zu einer Erhöhung der Schwellspannung der n-Kanal Transistoren 
(Backgate-Effekt).

Autor: Mark (Gast)
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Natürlich hat das nichts mit Röhren zu tun, aber was explizites habe ich 
nicht gefunden und dachte, dass man die Erklärung evtl. übertragen 
könnte.

Sorry, wollte das Datenblatt eigentlich posten:

http://www.reichelt.de/?;ACTION=7;LA=28;OPEN=0;IND...

Gibt aber leider nicht viel her.

Autor: spess53 (Gast)
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Hi

>Gibt aber leider nicht viel her.

Die Spannunng an den Potianschlüssen darf nicht negativer als Vb sein.
Wenn du eine Wechselspannung verarbeiten willst muss an Vb eine negative 
Spannung anliegen. Siehe Notes 2... S.8.

MfG Spess

Autor: Mark (Gast)
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Sorry, komm erst jetzt dazu zu antworten.

Ok, danke für den Hinweis, so wie ich das sehe kann ich, wenn ich mit DC 
Spannungen von 0V-5V arbeite, Vb einfach auf GND legen und es 
funktioniert alles wie geplant.

thx4help

Autor: Spess53 (Gast)
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Hi

>Ok, danke für den Hinweis, so wie ich das sehe kann ich, wenn ich mit DC
>Spannungen von 0V-5V arbeite, Vb einfach auf GND legen und es
>funktioniert alles wie geplant.

Richtig.

MfG Spess

Autor: MaWin (Gast)
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"Substrat" ist der Chip selbst, also das Silizium, auf das die 
Strukturen der Transistoren etc. geätzt und diffundiert wurden.

Bei den üblichen Chips muß dieser auf der negativsten Spannung von allen 
Anschlüssen liegen, sonst könnten sich parasitäre Dioden bilden und 
Strom fliesst ab was zu Fehlfunktion führt.

Bei normalen Chips, die nur + und - als Versorgungsspannung brauchen, 
ist klar, daß man das Substrat einfach an - anschliesst, das machen die 
schon intern im Chip.

Bei Bauteilen die mehrere Spannungen haben, von denen eine negativer 
oder positiver sein kann als die andere, ist nicht so klar, womit das 
Substrat verbunden werden soll. Da ist der Anschluss nach draussen 
geführt, und muss von dir mit der negativsten aller Spannungen verbunden 
werden. In der Hoffnung, daß der Entwickle das weiß. Weiß er es auch 
nicht, muss er eine aufwändige Schaltung bauen, die das aktuell 
negativste anliegende Potential an den Anschluss durchleitet, oder er 
erzeugt eine Spannung die garantiert negativer ist als alle zum Chip 
geführten.

Bei bestimmten Chips gilt sogar: Wenn man das Substrat noch negativer 
macht als nötig, werden die Chips schneller, so -5V unter der 
negativsten vom Chip zu verarbeitenden Spannung sind möglich. Das ist 
bvei deinem Chip aber nicht relevant, jedoch noch eine Erkläörung, warum 
man den Anschluss nach druassen führt. Moderne Chips hätten dann aber 
eine Ladungspumpe auf dem Chip, um diese negative Spannung selbst zu 
erzeugen.

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