Spannungsgegenkopplung Npn Transistor

OP #2084466
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Hallo Leute,

Bei einer ganz einfache Schaltung hänge ich gerade. Ich möchte die 
Spannungsgegenkopplung von npn bi polar Transistor verstehen.

Ich bitte um bestättigung ob meine Überlegnung stimmt oder nicht.
Ich füge hier mal ein Bild von meiner Skizze (Ohne gegenkopplung)

Bei der Schaltung ist das problem dass wenn die Temperatur steigt, wird 
durchlassspannung von Basis-Emitter weniger. Das heisst bei kleinere 
spannung wird forword bias durchgelassen. Meine frage ist wieso wird Ib 
hier grösser wenn Ube verkleinert druch Temp-erhöhung?

Meine Überlegnung zu dem ist, da die Eingangspannung konstant ist, wird 
bei einer verkleinerung von Ube, die spannung am Rb grösser(wegen serien 
schaltung). Bei vermehrte spannung am Rb fliesst mehr strom. Genau 
deshalb wird Basis strom mehr, bei Temp-erhöhung (Ohne gegenkopplung)
ist meine überlegung richtig?

Ich füge hier eine 2te Bild mit gegenkopplung.
Meine frage zudem ist, bleibt hier die Eingangspannung konstant? Oder 
muss ma das jetzt als Stromquelle betrachten. Wenn die Eingangspannungs 
konstant bleibt, musste hier immer noch mehr basis strom fliessen, wenn 
die temp erhöhert. Nur in dem fall wird wahscheinlich ein Teil der Strom 
über R1 wegfliessen. Somit Ib bleibt konstant.

Ich habe auch versucht die Spannungsteilerregel zu aufstellen.

Könntet ihr bitte kurz zeit nehmen um meine Überlegnungen zu 
korregieren, oder einfach erklären wie kommt das bei gegenkopplung , das 
Ib konstant bleibt.

Danke schon mal im vorraus.
Angehängte Dateien:
Gast #2084501
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Eigentlich wird die Schaltung ohne R1 angewandt. Das ist die einfachste 
Version einer Gegenkopplung. Sie ist aber sehr bauteilabhängig und wurde 
in der Serie selten eingesetzt. Ich habe R2 so dimensioniert, das am 
Kollektor die halbe Ub stand.
Besser ist die Version mit Emitterwiderstand. Da gehen dann auch 
Bauelementeschwankungen nicht so stark ein.

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