Hallo, habe hier eine kurze Frage zur Leistungsfähigkeit eines Transistors. Welcher Wert im Datenblatt sagt mir welche Leistung dieser max. schalten kann. Ist das die Angabe Ptot? Wenn meine Vermutung richtig ist kann ich mit einem BC327 bei einer CE-Spannung von 5V 125mA(0,625W/5V=125mA) schalten. Liege ich damit richtig? Habe zwar einige Bücher hier aber über dieses Thema lassen sich die nicht aus, dort wird mehr die Verstärkung und der nötige Basisstrom usw. behandelt.
Ptot ist die maximale _Verlust_leistung, also Strom * Spannungabfall am Transistor. Bitte keine Datenblätter anhängen wenn es ein Link auch tut.
Hallo, sorry, das nächste mal setze ich nen Link. Danke für die Antwort, also möglichst voll durchsteuern um einen geringen Spannungsabfall zu haben, dadurch sinkt dann auch die Verlustleistung.
So isses. Trotzdem sind noch ein paar Tücken zu beachten: das Umschalten vom gesperrtem zum durchgesteuerten Transistors und zurück muss ausreichend schnell geschehen, da bei "schleichender" Umschaltung die Verlustleistung überschritten werden kann - der Arme ist kaputt, ehe er aussen warm wird. Dann gibts noch den second breakdown, aber lass dich davon erst mal nicht verrückt machen.
Man muss auf alle Fälle unterscheiden, was man machen will. (1) Welchen Typ von Transistor nimmt man (Bipolar, FET) (2) Welche Betriebsart (Schalter, Verstärker) Entsprechend Deiner Beschreibung nimmst Du einen bipolaren Transistor und zwar als Schalter. Damit musst Du während des Schaltvorganges kurzzeitig über die Ptot-Zone des Transistors gehen. Anbei habe ich Dir mal die Dimensionierung und die Auswirkungen unterschiedlicher Lasten aus einem Tabellenbuch eingescannt. Allgemeines: ************ Bei Bipolar-Transistoren als Schalter kannst Du die Spannung am Transistor (Uce_sat nicht beeinflußen. Sobald der Transistor niederohmig [siehe Datenblatt (DB)] wird, fällt über der CE-Strecke die besagte Spannung ab. Somit ist die Ptot nur noch vom Strom Ic abhängig, der eigentlich im Datenblatt auch angegeben wird. Diesen kann man durch entsprechende Widerstände "drosseln". Bei FET's hingegen ist der Spannungsabfall zwischen Drain und Source "stromabhängig", weil bei diesen Dingern ein Widerstand namens Rds_on im DB gegeben ist. Das heißt also, dass die Spannung Uds mittels Onkel Ohm über Rds_on und Id berechnet werden kann. Viele Grüße müllo
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