Allg. Transistorfrage

Hallo,

sorry, das nächste mal setze ich nen Link. Danke für die Antwort, also
möglichst voll durchsteuern um einen geringen Spannungsabfall zu haben,
dadurch sinkt dann auch die Verlustleistung.

So isses.
Trotzdem sind noch ein paar Tücken zu beachten: das Umschalten vom
gesperrtem zum durchgesteuerten Transistors und zurück muss ausreichend
schnell geschehen, da bei "schleichender" Umschaltung die
Verlustleistung überschritten werden kann - der Arme ist kaputt, ehe er
aussen warm wird.
Dann gibts noch den second breakdown, aber lass dich davon erst mal
nicht verrückt machen.

Man muss auf alle Fälle unterscheiden, was man machen will.
(1) Welchen Typ von Transistor nimmt man (Bipolar, FET)
(2) Welche Betriebsart (Schalter, Verstärker)

Entsprechend Deiner Beschreibung nimmst Du einen bipolaren Transistor
und zwar als Schalter. Damit musst Du während des Schaltvorganges
kurzzeitig über die Ptot-Zone des Transistors gehen. Anbei habe ich Dir
mal die Dimensionierung und die Auswirkungen unterschiedlicher Lasten
aus einem Tabellenbuch eingescannt.

Allgemeines:
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Bei Bipolar-Transistoren als Schalter kannst Du die Spannung am
Transistor (Uce_sat nicht beeinflußen. Sobald der Transistor
niederohmig [siehe Datenblatt (DB)] wird, fällt über der CE-Strecke die
besagte Spannung ab. Somit ist die Ptot nur noch vom Strom Ic abhängig,
der eigentlich im Datenblatt auch angegeben wird. Diesen kann man durch
entsprechende Widerstände "drosseln".

Bei FET's hingegen ist der Spannungsabfall zwischen Drain und Source
"stromabhängig", weil bei diesen Dingern ein Widerstand namens Rds_on
im DB gegeben ist. Das heißt also, dass die Spannung Uds mittels Onkel
Ohm über Rds_on und Id berechnet werden kann.

Viele Grüße
müllo