Frage zu NOR Flash Write Commands (parallel)

[Martin S. (maklin)]

Hallo!

Mir ist aufgefallen, dass bei parallelem NOR-Flash 2 verschiedene Formen 
des Schreibzugriffs bestehen: Bei der eine Sorte lässt sich soziemlich 
jeder Command mit maximal 2 Write-Zyklen ausführen, bei der anderen mit 
bis zu 6.
Als Beispiel zwei Chips von Micron/Numonyx: M29EW mit bis zu 6 
Command-Zyklen vs. J3-Reihe mit max. zwei Command-Zyklen.

Wie kommt dieser Unterschied zustande, bzw. gibt es eine nähere 
Dokumentation dazu, und gibt es ggf. noch weitere solche Unterschiede zu 
anderen (aktuellen) NOR-parallel-Flash?

Danke!

[Niemand (Gast)]

Hi,
vergleichst Du hier nicht Äpfel mit Birnen ? Zwar nur mal schnell quer 
gelesen, hatte ich den Eindruck, dass das J3 ein Embedded Memory, dass 
M29EW eine monolithische Device ist, zudem noch MLC. Das ganze mit 
zusätzlichen Sicherheitsfunktionen. Und überhaupt, was meinst Du 
eigentlich mit 6 CommandZyklen. Denkst Du da an die Bytes ( die auch 
mehr als 6 sein können ) oder an die Buszyklen ( die beim M29W auch 9 
sein können ).

[Martin S. (maklin)]

Nun, ich sehe nicht unbedingt in Unterscheidung monolithisch oder 
embedded einen Grund den Datentransfer unterschiedlich hanzuhaben.
Ich meinte die Anzahl der zu schreibenden Daten auf den Flash, bis der 
Command vollständig übertragen ist. Leider ist es etwas schwer aus der 
Micron-Seite die Datenblätter als Link zu übertragen. Ich beziehe mich 
auf das Datenblatt von JR28F032M29EWBA, und zwar die Tabelle auf Seite 
35: "Table 9. Standard commands, 8-bit mode ".
Für Block-Erase ist beispielsweise der folgende Programmzyklus nötig:
Zyklus:  Add:  Data:
     1   AAA   AA
     2   555   55
     3   AAA   80
     4   AAA   AA
     5   555   55
     6   BAd   30 BAd=Block Address

Im Datenblatt zu JS28F128J3F75A findet man dagegen in Tabelle 23 auf 
Seite 38:
Zyklus:  Add:  Data:
     1   BAd   20
     2   BAd   D0

Unterschiede wie dieser sind gemeint.