Moin. Ich möchte einen P-Kanal-MOSFET (IRLML6401) benutzen, um mit einem µC-Pin (3.3V) die Versorgung für eine Brückenschaltung (2.5V) zu schalten. Spricht irgendwas dagegen, dass in diesem Fall die Spannung am Gate größer ist, als die, die ich schalten möchte? Gruß, Sid.
Zeichnung? Schaltplan-Skizze? Ein P-Kanal FET schaltet mit negativer Vgs, die positive ist ihm egal, solange sie nicht über den max-ratings liegt.
Also prinzipiell ohne viel Extras. Source direkt an der zu schaltenden Quelle mit 2.5V, von Drain in die Messbrücke. Gate direkt an den µC, der zwischen 0 und 3.3V schaltet. Einen PullUp zwischen G und S ist wohl weniger günstig, damit die 3.3V nicht mit den 2.5V gekoppelt sind.
d.H. deine Vgs ist entweder -2.5V (an) oder 0.8V (== 3.3V - 2.5V) aus. Kein Problem.
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.