Flash-Speicher

Hi

weil diese MOSFET's ein zusätzliches "floating gate" haben das
eigentlich keine elektrische Verbindung zum Rest der Welt hat. Beim
Programmiervorgang "tunneln" aber Elektronen (verursacht durch eine
erhöhte Spannung) durch die umliegende Isolierung auf dieses floating
gate und sind von nun an dort gefangen.

Matthias

oooch, die Ärmsten ;-), gut daß es den <<Erase>> Befehl gibt.

Hehe ja die tun mir auch leit :)

Kommt "leit" von "Leitfähigkeit"???

...

Warum funktionieren die Speicherzellen nach extrem often Programmieren
nicht mehr richtig? Wenn man eine Speicherzelle immer mit dem selben
Wert beschreibt, tritt dieses Problem dann auch auf?

@Hannes:

LEID

Und geht es dir jetzt besser?

Na ich denke mal, das hat mit dem Tunneln der Elektronen zu tun,
irgendwann ist dann wohl die Isolation zwischen dem Gate und dem
floating Gate so "abgenutzt", daß nix mehr geht.

..so wie die maroden Tunnel in Italien? ;)

Die elektronen nennt man in diesem fall auch heise elektronen.
Durch oftes neu programieren wird die Isolatiosnsschicht abgebaut und
das floating gate verliert dann zu schnell die information

> Die elektronen nennt man in diesem fall auch heise elektronen.

Hat der Heise-Verlag die entdeckt?

Vieleicht........??!?!?! Nein natürlich nicht

Na das sag ich nur ein Hoch auf Heisenberg!!

Nicht zu vergessen Angela Merkel. Ihr haben wir ja schließlich zu
verdanken, daß es überhaupt Elektronen gibt.

Ist das Merkel eigentlich nur sächlich oder sogar ursächlich?