Hallo, anbei seht ihr einen Schaltplan, mit dem ich hoffe einen Elektromagneten ansteuern zu können. Das ganze soll mittels eines IRLZ 34N laufen und nicht schneller als 1s geschaltet werden. Es existiert kein Datenblatt zum E-magneten, aber das Durchmessen hat ergeben: ca. 130mH mit Eisenkern und ca. 200 Ohm Serienwiderstand. Ich habe lange in Foren gesucht um so viel wie möglich über den IRLZ 34N herauszufinden. Als charakteristische Widerstandswerte sind immer die 50-200 Ohm vorm Gate und die 10k-100k Ohm parallel zur GS Strecke um den Transistor bei µC-Reset auf GND zu ziehen. Vielleicht habe ich ja einen Denkfehler, aber muss man nicht aufpassen, dass am Widerstand vorm Gate nicht zu viel Spannung abfällt, damit die 1-2V Threshold-Spannung überwunden wird!? Bei der Diode bin ich mir ebenfalls nicht ganz sicher. Aushalten müsste sie die Ströme die fließen und schnell genug müsste sie bei der geringen Anforderung eigentlich auch sein. Ich habe mal gelesen, dass man mit einer entgegen geschalteten Z-Diode das Ausschalten der Magneten noch beschleunigen kann. Ist das hier überhaupt noch erforderlich oder lediglich bei ganz schnellen Schaltprozessen. Bei einem ersten praktischen Test hatte ich den Widerstand vorm Gate weggelassen und komischer weise war der Transistor geschaltet obwohl keine 5V anlagen. Ich hatte zuerst vermutet mich verlötet zu haben, doch bei einem weiteren Test, bei dem ich auch Drain und Source getauscht habe blieb der Transistor geschaltet. Sehr verwirrend. Ich habe mich entschieden das ganze wieder auseinander zu basteln und hier erst einmal nach eurer Einschätzung zu fragen. MfG
@ apex (Gast) >herauszufinden. Als charakteristische Widerstandswerte sind immer die >50-200 Ohm vorm Gate und die 10k-100k Ohm parallel zur GS Strecke um den >Transistor bei µC-Reset auf GND zu ziehen. Kann man so machen. >Vielleicht habe ich ja einen Denkfehler, aber muss man nicht aufpassen, >dass am Widerstand vorm Gate nicht zu viel Spannung abfällt, damit die >1-2V Threshold-Spannung überwunden wird!? Nein. Denn das Gate ist sehr hochohmig, 10MOhm++ > Bei der Diode bin ich mir ebenfalls nicht ganz sicher. Aushalten müsste >sie die Ströme die fließen und schnell genug müsste sie bei der geringen >Anforderung eigentlich auch sein. Ist OK. > Ich habe mal gelesen, dass man mit >einer entgegen geschalteten Z-Diode das Ausschalten der Magneten noch >beschleunigen kann. Kann man. > Ist das hier überhaupt noch erforderlich oder Wahrscheinlich nicht. >lediglich bei ganz schnellen Schaltprozessen. >weggelassen und komischer weise war der Transistor geschaltet obwohl >keine 5V anlagen. R2 ist IMMER notwendig. Siehe Relais mit Logik ansteuern. MfG Falk
Dankeschön fürs Mitdenken... Und danke für den Hinweis mit der Hochohmigkeit des Gates.... ich doof ... Sind die Antwortend wertend? (Das "kann man so machen" klingt so als obs deutlich eleganter geht) Bei der Seite "Relais mit Logik ansteuern" ist auf dem ersten Schaltplan nur vor dem Bi-Polar-Transistor ein Widerstand und ich dachte, dass der nur notwendig ist, da der Bi-Polare ja Stromgesteuert ist und ich den beim MOSFET deshalb weglassen kann. Der Strom ist doch eigentlich nur für die Schaltgeschwindigkeit da?!
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