Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik E-Magnetansteuerung 24V über µC und IRLZ34N


von apex (Gast)


Angehängte Dateien:

Lesenswert?

Hallo,

anbei seht ihr einen Schaltplan, mit dem ich hoffe einen Elektromagneten 
ansteuern zu können. Das ganze soll mittels eines IRLZ 34N laufen und 
nicht schneller als 1s geschaltet werden. Es existiert kein Datenblatt 
zum E-magneten, aber das Durchmessen hat ergeben: ca. 130mH mit 
Eisenkern und ca. 200 Ohm Serienwiderstand.

Ich habe lange in Foren gesucht um so viel wie möglich über den IRLZ 34N 
herauszufinden. Als charakteristische Widerstandswerte sind immer die 
50-200 Ohm vorm Gate und die 10k-100k Ohm parallel zur GS Strecke um den 
Transistor bei µC-Reset auf GND zu ziehen.

Vielleicht habe ich ja einen Denkfehler, aber muss man nicht aufpassen, 
dass am Widerstand vorm Gate nicht zu viel Spannung abfällt, damit die 
1-2V Threshold-Spannung überwunden wird!?

 Bei der Diode bin ich mir ebenfalls nicht ganz sicher. Aushalten müsste 
sie die Ströme die fließen und schnell genug müsste sie bei der geringen 
Anforderung eigentlich auch sein. Ich habe mal gelesen, dass man mit 
einer entgegen geschalteten Z-Diode das Ausschalten der Magneten noch 
beschleunigen kann. Ist das hier überhaupt noch erforderlich oder 
lediglich bei ganz schnellen Schaltprozessen.

Bei einem ersten praktischen Test hatte ich den Widerstand vorm Gate 
weggelassen und komischer weise war der Transistor geschaltet obwohl 
keine 5V anlagen. Ich hatte zuerst vermutet mich verlötet zu haben, doch 
bei einem weiteren Test, bei dem ich auch Drain und Source getauscht 
habe blieb der Transistor geschaltet. Sehr verwirrend.

Ich habe mich entschieden das ganze wieder auseinander zu basteln und 
hier erst einmal nach eurer Einschätzung zu fragen.

MfG

von Falk B. (falk)


Lesenswert?

@  apex (Gast)

>herauszufinden. Als charakteristische Widerstandswerte sind immer die
>50-200 Ohm vorm Gate und die 10k-100k Ohm parallel zur GS Strecke um den
>Transistor bei µC-Reset auf GND zu ziehen.

Kann man so machen.

>Vielleicht habe ich ja einen Denkfehler, aber muss man nicht aufpassen,
>dass am Widerstand vorm Gate nicht zu viel Spannung abfällt, damit die
>1-2V Threshold-Spannung überwunden wird!?

Nein. Denn das Gate ist sehr hochohmig, 10MOhm++

> Bei der Diode bin ich mir ebenfalls nicht ganz sicher. Aushalten müsste
>sie die Ströme die fließen und schnell genug müsste sie bei der geringen
>Anforderung eigentlich auch sein.

Ist OK.

> Ich habe mal gelesen, dass man mit
>einer entgegen geschalteten Z-Diode das Ausschalten der Magneten noch
>beschleunigen kann.

Kann man.

> Ist das hier überhaupt noch erforderlich oder

Wahrscheinlich nicht.

>lediglich bei ganz schnellen Schaltprozessen.

>weggelassen und komischer weise war der Transistor geschaltet obwohl
>keine 5V anlagen.

R2 ist IMMER notwendig. Siehe Relais mit Logik ansteuern.

MfG
Falk

von apex (Gast)


Lesenswert?

Dankeschön fürs Mitdenken...
Und danke für den Hinweis mit der Hochohmigkeit des Gates.... ich doof 
...

Sind die Antwortend wertend? (Das "kann man so machen" klingt so als obs 
deutlich eleganter geht)

Bei der Seite "Relais mit Logik ansteuern" ist auf dem ersten Schaltplan 
nur vor dem Bi-Polar-Transistor ein Widerstand und ich dachte, dass der 
nur notwendig ist, da der Bi-Polare ja Stromgesteuert ist und ich den 
beim MOSFET deshalb weglassen kann. Der Strom ist doch eigentlich nur 
für die Schaltgeschwindigkeit da?!

Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.