Funktionsweise Bipolartransistor

[BJT (Gast)]

Hallo,

ich habe ein paar Verständnisfragen zum Bipolartransistor. Ersteinmal 
habe ich ein interessantes Applet gefunden:

http://smile.unibw-hamburg.de/smile/BJT/BJT_Kennlinie.html

Dabei ist mir nur ein was aufgefallen. An den Achsen ist ja keine 
Skalierung dran. Ich vermute, dass die Elektronen und Löcherdichte 
unterschiedlich Skaliert ist. Denn am Emitter-Basisübergang sind 
Elektronen und Löcherdichten gleich groß. Das dürfte ja aber nciht sein, 
oder? Denn der Emitter ist ja wesentlich höher Dotiert, als die Basis, 
was zur Folge hat, dass in den Emitter wesentlich weniger Löcher 
injiziert werden, als Elektronen in die Basis. Das ist ja eigentlich 
eine wesentliche Voraussetzung dafür, dass der Transistor überhaupt so 
funktioniert wie er soll.

Weiterhin bin ich bei der Problematik des Early-Effektes auf zwei 
Gleichungen gestoßen, die den Kollektorstromterm erweitern:

Einmal:

IC'=IC*(1+UCE/UA)

bzw.

IC'=IC*(1-UBC/UA), wobei IC' den Kollektorstrom unter Berücksichtigung 
des Early-Effektes bezeichnet. Diese Gleichung widersprechen sich doch 
aber scheinbar, oder? Denn es gilt ja: UBC=UBE-UCE. Was ist dafür die 
Ursache, oder habe ich einen Denkfehler.


Mfg.

[Helmut S. (helmuts)]

Leider haben sich die Forscher und Entwickler da nicht einigen können 
welches die "richtigere" Definition ist. Deshalb existieren beide 
Definitionen in Forschung und Lehre und auch in den verschiedenen 
SPICE-Programmen. Zum Glück ist der Unterschied nicht besonders hoch, da 
die Early-Spannung meistens größer 20V ist.

[Christian L. (cyan)]

Im Grunde genommen kann man die erste Formel in die zweite Überführen:

$$1+\frac{U_{CE}}{U_A}=1+\frac{U_{BE}-U_{BC}}{U_A}=1-\frac{U_{BC}}{U_A}+\frac{U_{BE}}{U_A}$$

Der Therm

$$\frac{U_{BE}}{U_A}$$

wird durch die kleine Basis-Emitter-Spannung (~0,65V) und die große 
Early-Spannung (20-150V) vernachlässigbar klein.

LG Christian