Verpoldiode

Ich würde sagen das kommt auf die Schaltung an!

Ich würde sagen das kommt auf die Sicherung an!

nimm doch bitte Anode und Katode als Bezeichnung für die
Diodenanschlüsse...
Üblicherweise liegt ein Transistor nicht direkt mit D/S bzw C/E an der
Beriebsspannung. Also sag ich mal, die Diode bringt nichts.

Hallo Hauser,

ich würde sagen, die Diode die Du beschreibst ist als Freilaufdiode
über die Laststrecke des Transistors geschaltet, um diesen vor
negativen Spannungsspitzen, wie sie beim Abschalten von allen
Induktivitäten auftreten, zu schützen.
Eine solche Diode schützt nur den Transistor und hilft auch nicht, wenn
die ganze Schaltung verpolt wird. Aber hier werden weiter Aussagen ohne
den Schaltplan wirklich sehr spekulativ.

Also, wenn Du mehr Infos brauchst, poste mal den Schaltplan.

Gruß,
Markus_8051

@Markuse_8051: Volle Zustimmung!

Gruß, Michael

Danke. Kann diese Diode gegen Spitzen beider Richtungen schützen? Eine
Diode kann sich nur konstant verhalten, wenn die leitend ist.

Gruss
Hauser

gegen spitzen beider richtung schützt dich nur n kondensator.
wenn du sie zwischen s und d (source und drain?) des transistors
klemmen willst, so ist das ja offenscihtlich ein fet. die haben (sofern
source mit dem substrat verbunden ist, sie also 3 anschlussbeine haben)
schon eine diode eingebaut die antiparallel wirkt... man kann sich eine
freilaufdiode also sparen, solange man die eingebaute nicht überlastet

Wieviel Ampere halten eigentlich die internen Freilaufdioden der
aktuellen MOSFETs so aus?
Ein zwei Ampere? Fällt an dieser Diode auch eine Spannung ab, wie an
normalen Dioden oder haben die Hersteller das auch irgendwie in
MOSFET-Technik so gemacht, dass diese Diode nur noch einen konstanten
und sehr geringen Widerstand hat?

@Kurt:

Was auch immer ein "aktueller Mosfet" sein soll, diese Daten finden
sich, ebenso wie alle anderen relevaten Daten, im Datenblatt zu einem
Mosfet.

Ansonsten ist diese Diode eine parasitäre Diode, und sie ist nicht mit
Absicht im Mosfet. Sie stört sogar in vielen Fällen.

Wie an jedem Halbleiterübergang auf dieser Welt, fällt natürlich auch
an der parasitären Diode eine Spannung ab. Wie sollte sonst die
Sperrwirkung funktionieren?

In jedem Datenblatt eines Mosfet ist auch ein Abschnitt über die
Bodydiode enthalten. Diese Diode wird nicht extra eingebaut, sondern
ist als (willkommenes ?) parasitäres Bauelement strukturbedingt immer
vorhanden.
Jeder Hersteller gibt auch AN zum Gebrauch dieser Diode heraus.
Sie hat die gleichen Strom und Spannungsfestigkeit wie der FET auch,
sie benutzt ja den gleichen Kanalbereich und ist sogar ziemlich
schnell, kann allerdings mit einer Schottkydiode nicht ganz mithalten.
Als gesteuerter Gleichrichter besser und billiger als fast alle
anderen.

Arno H.

Diese Diode D2 sollte Verpoldiode sein, richtig?

Gruss
Hauser

Diese Diode sitzt an einem Spannungsregler und hat die Aufgabe,
Rückströme in den Regler zu verhindern. Wenn durch widrige Umstände die
Spannung am Ausgang größer wird als die Eingangsspannung, wird diese
Diode den Spannungsregler schützen, indem sie den Strom auf die
Eingangsseite in den Lade-C ableitet.
Integrierte Spannungsregler sind in dieser Hinsicht wohl etwas
empfindlich.

Arno

Die verpolschutzdiode ist in diesem falle D1

Stimmt, ich habe sie auf dem Mikrofilm für eine Einweggleichrichtung
gehalten.
Arno

Mikrofilm? Ich dachte, so etwas gibt es nur noch bei James Bond!

Dann eben diese Schaltbildverkleinerung auf 2% der nutzbaren
Bildschirmfläche.

Arno

Was hat denn die Diode über nem FET mit einer Freilaufdiode (Diode über
einer Induktivität zur Verhinderungen einer Gegenspannung beim
Ausschalten) zu tun?

Für mich waren das immer zwei Paar Schuhe.

cu

Deswegen war das Schaltbild auch so´ne Überraschung.
Arno

@elektronischer reiter
naja, die diode funktioniert so aber recht gut, da sie negative
spannungsspitzen einfach kurzschließt.

was weiter oben Arno H. angeht: die diode verwendet den steuerkanal des
mosfet nicht! sie entsteht durch die verbindung des substrates mit dem
source gebiet (auf verdrahtungsebene). schaltbildtechnisch entstehen
somit 2 dioden: eine vom substrat zum drain gebiet (die hier
besprochene) und einmal eine vom substrat zum source gebiet. letztere
ist aber direkt kurzgeschlossen und somit nur theoretisch vorhanden.
wir haben uns vorgestern auch nochmal diesbezüglich hier in der
gesprächsrunde unterhalten. dabei kam die frage auf, weshalb man das
technisch überhaupt verbindet. tut man es nämlich nicht müsste man
theoretisch
a: potentialfrei und
b: wechselspannung schalten bzw regeln können... bei ca 0,2R RDSon
(BUZ72) währe sowas nat. ne feine sache.

hallo Lucky Fu,
Kanal war falsch ausgedrückt. Sie basiert auf der Sperrschicht zwischen
Drain (Substrat) und Source (als Kollektor-Basis-Diode eines parasitären
Transistors, dessen Basis und Emitter kurzgeschlossen sind) und wird
eben durch diese Sperrschicht in der Spannung und durch die Geometrie
des Chips mit seinen Anschlüssen im Strom limitiert. Das ergibt dann
eben die gleichen Strom- und Spannungswerte wie beim FET selbst.
Was Du mit Verdrahtungsebene meinst, ist dieser Kurzschluß von p und n
Region mit der Metallisierung.
Arno

@Lucky Fu:

Die Verbindung wird gemacht, weil das Substrat auf einem definiertem
Pegel liegen muß, ansonsten hängt es ja in der Pampa rum und das macht
schwierigkeiten.

Afaik gibt es auch Mosfets, bei denen das Substrat als 4. Anschluß
herausgeführt wird. Somit kannst Du das Substrat an die nagativste
Spannungsquelle in Deiner Schaltung hängen, und kannst dann in der Tat
mit nur einem Mosfet Wechselspannungen schalten.

Ansonsten nimmt man zum Wechselspannung schalten zwei antiseriell
geschaltete Mosfets.