N-FET als Highside Schalter

Hallo Leute,

Ich wollte mal N-FETs als Highside Schalter anstelle der üblichen
P-FETs ausprobieren. Klappt auch soweit, hab jedoch noch ein paar
kleinere Probleme und Fragen.
Die Schaltung im Anhang ist zur Diskussion stark vereinfacht und
entspricht nicht unbedingt der angestrebten Lösung.

Für die Gate Spannung des N-FET Q1 wird eine Spannung benötigt die im
Q1-On Zustand Vdd um 5..10V übersteigt. Mit dem "Boost Kondesator"
Konzept (siehe z.b. IR2111 Highside Treiber) kann man ja dies einfach
erreichen, aber ein dauer Q1-On betrieb ist damit nicht möglich.

Ich hab daher dafür einfach mal eine Kondensator Pumpe bzw. eine
Flyback Schaltung ausprobiert. Die damit erzeigt Spannung hab ich
relativ zu Q1-Source aufgehängt und schalte dann mit dieser 5V
Hilfsspannung Q1-Gate.

Damit erreiche ich bei Vdd 12V und RL 100 Ohm eine Schaltverzögerung
(RL relativ zu V-IN) von ca. 450ns (On und Off, 75ns für 6n137,
ca.120ns für IRLZ34N, der Rest für die schwachbrüstige
Gateansteuerung), OK. Wenn ich aber RL z.B. auf 4.7K erhöhe, steigt die
Q1-Off Zeit (gemessen über RL) auf 6µs :( .
Warum? Ist dafür eine der Q1 Gate Ladungen verantortlich die sich erst
über RL entladen muss?. Gibt es da eine einfache Abhilfe?

Wenn ich mir die Spannung über RL anschaue dann gibt es dort hässliche
Spikes von ca. 0.8V,600ns Dauer,10Mhz Schwingung mit der PWM Frequenz
von Q2 aus der Flyback Schaltung. VBoost+ gegenüber VBoost-GND ist
sauber! Aber anscheinend wird das VBoost Potential gegenüber GND so
heftig hinundher geschüttelt so dass die Anbindung über RL an GND nicht
ausreicht...

Hierfür hab ich bisher nur folgende Abhilfe gefunden:
1) die PWM Flanken an Q2 verschleifen. Damit sinkt aber der
Wirkungsgrad und Q2 wird heiss! :(
2) Anbindung von VBoost+ oder VBoost-GND an GND über einen Kondensator
von mindestens 1..10nF. Damit steigt aber die Q1 Off Zeit bei RL 4.7K
von ca. 6µs auf 20µs :(
Allerdings bei RL 100Ohm hab ich nachwievor 450ns, :)

Frage: Gibt es hier noch andere Möglichkeiten die Spikes zu beseitigen
und trotzdem schnelle Q1 Off Zeiten auch bei hochohmigen RL zu
erzielen?

(Hab noch keine konkrete Anwendung im Sinn, nur so zum Ausloten was
drinn ist)

Danke schon mal für den Schweiss der Edlen...