IGBTs parallel

Hallo,

laut Datenblatt Seite 4, Fig. 5 (Transistor) und Seite 6, Fig. 13 
(Diode) kannst Du die IGBTs parallel schalten.
Wenn Du nicht auf diesen Typen festgelegt bist, kann ich Dir die 
moderneren IRGP4063 
(http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irgp4063dpbf.pdf)
oder IKW50N60T von Infineon 
(http://www.farnell.com/datasheets/12560.pdf) empfehlen. Kenne ich 
beide, lassen sich problemlos parallel schalten und haben ein gutmütiges 
EMV-Verhalten.

David

Danke,
sehe ich das richtig Vce steigt nur bei 2 Kurven(Ic =39A und 78A).

Also hat der von mir genannte IGBT teils einen negativen Temperatur 
Koeffizienten (Kurve Ic=20A) und die anderen (höhere Last) einen 
positiven.

Bei Ihrem genannten (IRGP4063) ist er immer positiv.
Ist das ersichtlich auf Seite 3 Fig.2, da Ptot mit steigender Temperatur 
immer fällt?

Danke für die Nachhilfe

Hallo,

> Also hat der von mir genannte IGBT teils einen negativen Temperatur
> Koeffizienten (Kurve Ic=20A) und die anderen (höhere Last) einen
> positiven.

Der negative Temperaturkoeffizient bei 20A ist kein Problem, da bei 20A 
ja ein Transistor reichen würde. Im Strombereich, wo ein Transistor 
knapp wird, ist der Temperaturkoeffizient dann aber positiv.

> Bei Ihrem genannten (IRGP4063) ist er immer positiv.
> Ist das ersichtlich auf Seite 3 Fig.2, da Ptot mit steigender Temperatur
> immer fällt?

Nein, dieses Diagramm sagt nur aus, bei steigender Chiptemperatur wird 
die zulässige Verlustleistung ((Uce * Ic) + Schaltverluste) geringer.

Gut ist es im Datenblatt des IKW50N60T Seite 5 Fig. 8 zu sehen. Ein 
solches Diagramm fehlt im Datenblatt des IRGP4063, oder ich habe es 
nicht gefunden.

Der IRGP4063 und der IKW50N60T sind Trench-IGBTs, die auf der 
NPT-Technologie basieren und von daher immer ein positiven 
Temperaturkoeffizienten haben.

David