[H] PNP-Basispotential über Emitterpotential erlaubt?

Gast #2425898
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Peinliche Frage:
Sämtliche Grundschaltungen die ich bisher gefunden habe, haben mir 
leider nicht weitergeholfen (Ube lag immer zwischen Vcc und 0V). Darum 
möchte ich hier eine "sicher sehr banale" Frage für die Profis stellen 
(es geht immer um den Sperrzustand):

Kann ich einen PNP-Transiostor mit einem höheren Potential als sein 
Emitter-Potential "belasten", ohne das etwas passiert?

Also U(E) = 3.3V; U(B) = 0V oder +5V :-(

Beispiel?
Das Teil soll HighSide eine Spannung schalten; am Emitter liegen z.B. 
3.3V an; als Ansteuerung habe ich aber nur 5V vom µC. Wenn ich den µC 
jetzt auf 0V schalte, leitet der Transistor und ich habe meine 
eingeschaltete Spannung.
Wenn ich jetzt aber ausschalten möchte, kommen aus dem µC ja 5V an und 
somit liegt die Basis 1,7V über dessen Emitter-Potential...
Theoretisch würde ich sagen: Egal; dann wird die BE-Strecke halt noch 
mehr in Sperrichtung betrieben... Jetzt habe ich aber gelesen, dass es 
Bauteile (AVR) gibt, die nicht 5V-kompatibel sind. Und ich vermute mal, 
dass so ein µC am Ausgang ja auch nur Transistoren hat. Und wenn ich 
einen µC mit 3,3V Vcc-Spannung nicht mit 5V belästigen darf, darf ich 
dann auch keinen einfachen Transistor so betreiben?

Also nur zur Sicherheit: Ich will die Sperrichtung nicht 
überbeanspruchen und den 3.3V-Emitter mit 12 oder gar noch mehr Spannung 
ansteuern.
Es geht um 3.3V am Emitter und 0/5V an der Basis...

Vielen Dank im voraus,
Michael
Gast #2425925
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Die Basis-Emitterstrecke darf man etwas in Sperrichtung belasten. Die 
maximale Spannung ist da aber auf etwa 5 V begrenzt - bei einigen HF 
Transistoren teils noch weniger.
Die 1,7 V aus diesem Beispiel sind aber kein Problem.

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