Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung - Grenfrequenzen

[Florian M. (ximy)]

Schönen guten Abend.

Ich hoffe einer von euch ist so lieb und kann mir weiterhelfen.
Ich möchte die Grenzfrequenzen der Schaltung berechnen.
Normalerweise geht das ja über

$$f_G=\frac{1}{2\pi RC}$$

Nun weiß ich allerdings nicht, welche Widerstände ich überhaupt benutzen 
muss.
Mir wurde gesagt, dass für den Hochpass an C1 sich R so zusammensetzt:

$$R=R1||R2||(r_B+\beta R_E)$$

$$r_B\approx\frac{40mV}{I_b}=400\Omega$$

Als Transistor wurde BC 546 verwendet.

Wieso setzt sich R gerade aus diesen zusammen? Muss das Beta 
hinzugenommen werden bei RE, weil hier ein anderer Strom herrscht? Warum 
muss nicht statt RE, RE||R3 genommen werden?
Wenn ich nachrechne komme ich nämlich auf etwa 19,8 Hz RE, das zeigt 
auch der Bodeplott an.

Dann die Frage wie setzt R beim C3 Hochpass zusammen? Und wie verbinde 
ich überhaupt richtig mit einem Bodeplotter? Krieg das nicht hin. Kann 
nur über die Gesamtschaltung dann sehen, dass sich ein weiteres Plateau 
habe und wenn ich von dort 3db weniger rechne, dann die Grenzfrequenz 
bestimmen.
Ich lese dabei 1kHz ab. Müsste also einen Widerstand von 16.6 Ohm haben. 
Das geht weder mit R3 (12) noch R3||RE (8.3).

Wäre sehr dankbar, wenn mir jemand weiterhelfen könnte.

[Florian M. (ximy)]

Hallo,

also ich bin mittlerweile der Meinung, dass ich für die 
Eingangsgrenzfrequenz doch noch RE|| R3 parallel rechnen muss und ich 
dadurch einen leicht höheren Wert habe, dieser aber richtig ist und die 
Abweichung einfach aus der Simulation kommt oder eventuell dadurch dass 
r_BE nur Pi mal Daumen gerechnet wurde.

Dann hab ich hier was gefunden zur Berechnung der Grenzfrequenz im 
Abschnitt "Die untere Grenzfrequenz der Emitterschaltung"
http://www.elektroniktutor.de/analog/verst_e.html

Wenn ich das richtig verstehe müsst mein Widerstand sich also aus 
r_BE/Beta+R3 zusammensetzen, da diese anscheinend in Reihe geschaltet 
sind und R3 den Generatorwiderstand ersetzt, aber halt nicht um den 
Faktor Beta kleiner ist?

Vielleicht kann mir ja nun jemand helfen :)

[ArnoR (Gast)]

> also ich bin mittlerweile der Meinung, dass ich für die
> Eingangsgrenzfrequenz doch noch RE|| R3 parallel rechnen muss

Hängt von der Dimensionierung ab. Wenn wie bei dir die Grenzfrequenz aus 
R3/C3 viel höher als die am Eingang ist, dann ist R3 doch gar nicht 
parallel zu Re wirksam.

Die oben angegebene Gleichung für R ist richtig, man muss nur die 
korrekten Werte für Ut und B einstzen. Ut ist nicht 40mV sondern 26mV.

R=R1//R2//B*(Ut/IC+RE)

[Florian M. (ximy)]

Also bei meiner jetzigen Dimensionierung sind beide Grenzfrequenzen etwa 
übereinander, denn C3 hab ich 470uF gewählt.


Du hast jetzt die Temperaturspannung für Raumtemperatur benutzt, aber 
ich denke nicht, dass der Transistor so bleibt, deshalb hab ich etwas 
mehr genommen. Oder sorgt der Emitterwiderstand dafür, dass er exakt 
dabei bleibt?

Wie sieht es denn mit der C3 Grenzfrequenz aus. Ist diese eine 
Reihenschaltung aus R3 und r_BE/Beta ?

[ArnoR (Gast)]

> Oder sorgt der Emitterwiderstand dafür, dass er exakt
> dabei bleibt?

Nein, Ut ändert sich natürlich.


> Wie sieht es denn mit der C3 Grenzfrequenz aus. Ist diese eine
> Reihenschaltung aus R3 und r_BE/Beta ?

Nicht ganz, zu r_be/B liegt noch RE parallel.

[Florian M. (ximy)]

Man man man, für parallele Sache bin ich irgendwie zu doof das zu sehen.
Also der Widerstand am C3 Hochpass ist

$$R=R_3+(\frac{r_{BE}}{\beta}||R_E)=12+(\frac{250}{400}+\frac{1}{27})^{-1}=13.5$$

?
Und warum ist jetzt R_E parallel zu r_BE und nicht zu R_3 ?
Peile das nicht :(

[ArnoR (Gast)]

> Und warum ist jetzt R_E parallel zu r_BE und nicht zu R_3 ?

Die Basis liegt (über die Signalquelle) auf Masse und am Emitter liegen 
daher r_be und RE, beide mit dem anderen Ende an Masse.